| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种半导体器件制造方法,该制造方法能够解决在刚刚开始抛光之后几乎不进行抛光的潜伏时间的问题。为了减少由于在金属膜抛光刚刚开始之后引起的潜伏时间周期,在抛光工艺之前进行从要被抛光的物体除去氧化物的氧化物除去步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN1256508A | 申请公布日期 | 2000.06.14 |
| 申请号 | CN99125528.3 | 申请日期 | 1999.12.02 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 鸟井康司 |
| 分类号 | H01L21/304;B24B1/00 | 主分类号 | H01L21/304 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;方挺 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件制造方法，其中在金属膜抛光步骤之前进行氧化物除去步骤，从要被抛光的物体表面除去氧化物。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||