制造半导体器件电容器的方法

摘要

本发明公开一种使电容器电极工作稳定并改善半导体器件的工作特性和可靠性的制造半导体器件电容器的方法。该方法包括以下各步骤:制备一块半导体基片;在该基片上形成绝缘层;通过选择去除下绝缘层形成接触孔;在接收孔内形成柱塞;在其上形成Ti/TiN膜;在Ti/TiN膜上形成第一氧化钌膜;在第一氧化钌膜上形成第一SOG膜;将离子注入到第一SOG膜的表面;在第一SOG膜上形成第二SOG膜,然后选择去除第一和第二SOG膜;利用第一和第二SOG膜作掩模腐蚀第一氧化钌膜Ti/TiN和膜;去除第一和第二SOG膜,然后在裸露的表面上形成介质膜;以及在介质膜上形成第二氧化钌膜。

主权项

1.一种制造半导体器件电容器的方法，该方法包括以下各步骤：制备一块半导体基片；在所说的半导体基片上形成绝缘层；通过选择去除所说的下绝缘层，形成露出所说的半导体基片的接触孔；在所说的接触孔内形成柱塞；在所说的柱塞和所说的下绝缘层上形成第一氮化钛膜；在所说的第一氮化钛膜上形成氧化钌膜；选择腐蚀氧化钌膜所说的和所说的第一氮化钛膜；在所说的氧化钌膜、所说的第一氮化钛膜和所说的下绝缘层的裸露表面上形成具有高的介电常数的介质膜；在所说的介质膜上按顺序形成硅化钨膜、第二氮化钛膜以及多晶硅膜。