| 发明名称 |
3-D CMOS-on-SOI ESD structure and method |
| 摘要 |
Three-dimensional ESD structures are constructed in SOI technology that utilize both bulk devices and thin film SOI devices.
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| 申请公布号 |
US6074899(A) |
申请公布日期 |
2000.06.13 |
| 申请号 |
US19990245488 |
申请日期 |
1999.02.05 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION |
发明人 |
VOLDMAN, STEVEN HOWARD |
| 分类号 |
H01L27/02;H01L27/12;(IPC1-7):H01L21/00;H01L21/84 |
主分类号 |
H01L27/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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