| 主权项 |
1.一种电容器下电极的形成方法,系在金氧半导体的基底上形成介电层,并于该介电层中凿设中空节点接触窗,然后于该介电层上形成具厚度的导电层,并使该导电层栓塞于该节点接触窗中且耦接于该基底上,俾供电容器下电极用之制仵过程中,其特征在于:当形成该导电层所需厚度时,系采用一以上阶段式非连续性的间歇形成方法者。2.如申请专利范围第1项所述电容器下电极的形成方法,其中,该导电层系采用非晶矽材质形成者。3.如申请专利范围第1项所述电容器下电极的形成方法,其中,当进行下一阶段的导电层形成前,均进行酸洗步骤,俾清洗前一阶段导电层表面者。4.如申请专利范围第1项所述电容器下电极的形成方法,其中,各阶段中该导电层的形成方法,系采化学气相沉积法(CVD)者。5.如申请专利范围第3项所述电容器下电极的形成方法,其中,该酸洗步骤中所采用的酸,系为氟化氢(HF)者。6.如申请专利范围第1项所述电容器下电极的形成方法,其中,当该导电层形成所需厚度后,更进一步进行电容区定义程序。7.如申请专利范围第6项所述电容器下电极的形成方法,其中,当在该导电层上定义出电容区后,更进一步进行热处理者。8.如申请专利范围第7项所述电容器下电极的形成方法,其中,该热处理系采用回火处理,俾于该电容区表面上形成半球型矽晶粒造型者。图式简单说明:第一图A-第一图C系习知形成半球型矽晶粒层之分解步骤剖面示意图;第二图A-第二图B系习知在非晶矽材质中产生晶格变化之剖面示意图;第三图A-第三图G系本发明较佳实施例之分解步骤剖面示意图;以及第四图系系在本发明较佳实施例之非晶矽材质中产生晶格变化之剖面示意图。 |
