| 主权项 |
1.一种半导体装置,系备有,包含元件之半导体基板及多层配线领域之半导体装置,其第2层以上之配线领域之至少一层含有:藉热处理去除气体化成分之层间绝缘膜;形成在上述层间绝缘膜之散热孔;形成在上述层间绝缘膜及散热孔之表面之湿润层;以及,形成在上述湿润层上之铝,或以铝为主要成分之合金构成之铝膜。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,上述湿润层系由钛或锆所构成。3.一种半导体装置之制造方法,系备有,包含元件之半导体基板及多层配线领域之半导体装置之制造方法,其第2层以上之配线领域之至少一层含有下列制程(a)至制程(f):(a)在形成于基体上之层间绝缘膜形成散热孔之制程;(b)在减压下,以300-550℃之基板温度进行热处理,藉此去除含在上述层间绝缘膜之气体化成分之脱气制程;(c)在上述层间绝缘膜及上述散热孔之表面形成湿润层之制程;(d)将基板温度冷却到100℃以下之制程;(e)在上述湿润层上,以200℃以下之温度形成,铝或以铝为主要成分之合金构成之第1铝膜之制程;以及,(f)在上述第1铝膜上,以300℃以下之温度形成,铝或以铝为主要成分之合金构成之第2铝膜之制程。4.如申请专利范围第3项之半导体装置之制造方法,上述制程(e)及(f)之铝膜之形成,系以溅射法为之。5.如申请专利范围第3项之半导体装置之制造方法,上述制程(e)及(f)之铝膜之形成,系在同一处理室内连续进行。6.如申请专利范围第3项之半导体装置之制造方法,上述制程(d),(e)及(f),系在备有保持减压状态之多数处理室之同一装置内连续进行。7.如申请专利范围第3项之半导体装置之制造方法,上述制程(e)及(f)之铝膜之形成,系藉控制载置上述基板之平台之温度而达成。图式简单说明:第一图A,第一图B及第一图C系以模式方式按制程顺序表示本发明半导体装置之制造方法之一个例子之截面图。第二图A及第二图B系以模式方式按制程顺序表示紧接着第一图C所示之制程进行之半导体装置之制造方法之一个例子之截面图。第三图A系以模式方式表示本发明之实施形态所使用溅射装置之一个例子之图,第三图B系表示平台之一个例子之平面图。第四图系表示,使用第三图A所示溅射装置控制基板温度时之时间与基板温度之关系之图。第五图系表示本发明半导体装置之制造方法之处理定时与处理室内之残留气体(水)之分压之关系之图。第六图系表示本发明半导体装置之制造方法之处理定时与处理室内之残留气体(氮)之分压之关系之图。第七图系表示第2金属配线层构造之SIMS之资料之图。第八图A系表示冷却晶圆时,将铝成膜时之晶圆截面之电子显微镜照片,第八图B系表示不冷却晶圆,将铝成膜时之晶圆截面之电子显微镜照片。 |
