| 主权项 |
1.一种利用旋涂式玻璃制造孔洞之方法,该方法至少包含:提供至少包含两条相邻导线于覆盖有介电层之半导体元件;形成第一阻障层于该半导体元件上;覆盖伪水膜(pseudo H2O film)于该第一阻障层上;及形成旋涂式玻璃层于该伪水膜上,并同时于该旋涂式玻璃层内形成孔洞。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之形成旋涂式玻璃后更包含平坦化该旋涂式玻璃层。3.如申请专利范围第2项之方法,其中上述之平坦化该旋涂式玻璃层后,更包含覆盖第二阻障层于该旋涂式玻璃层上。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之相邻导线之间距至少小于0.5um。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一阻障层至少包含氧化矽。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一阻障层更包含突悬(overhang),用以协助该孔洞之形成。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之覆盖伪水膜之方法至少包含调整制程环境相对湿度,与调整制程环境气体流速。8.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之制程环境相对湿度的调整范围大约在42%-46%。9.如申请专利范围第8项之方法,其中上述之制程环境气体流速的调整范围大约在0.2m/s-0.3m/s。10.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之孔洞系位于该相邻导线之间。11.如申请专利范围第10项之方法,其中上述之孔洞系用以调整该相邻导线间之介电常数(dielectric constant)。12.如申请专利范围第11项之方法,其中上述之孔洞之范围约在0.1um-0.2um。13.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二阻障层至少包含氧化矽。14.一种利用旋涂式玻璃制造孔洞之方法,该方法至少包含:提供至少包含两条相邻导线于覆盖有介电层之半导体元件;形成第一阻障层于该半导体元件上;覆盖伪水膜(pseudo H2O film)于该第一阻障层上;及形成旋涂式玻璃层于该伪水膜上,并同时于介在该相邻导线间之该旋涂式玻璃层内形成孔洞。15.如申请专利范围第14项之方法,其中上述之形成旋涂式玻璃后更包含平坦化该旋涂式玻璃层。16.如申请专利范围第15项之方法,其中上述之平坦化该旋涂式玻璃层后,更包含覆盖第二阻障层于该旋涂式玻璃层上。17.如申请专利范围第14项之方法,其中上述之覆盖伪水膜之方法至少包含调整制程环境相对湿度,与调整制程环境气体流速。18.如申请专利范围第17项之方法,其中上述之制程环境相对湿度的调整范围大约在42%-46%。19.如申请专利范围第18项之方法,其中上述之制程环境气体流速的调整范围大约在0.2m/s-0.3m/s。20.一种利用旋涂式玻璃制造孔洞之方法,该方法至少包含:提供至少包含两条相邻导线于覆盖有介电层之半导体元件;形成第一阻障层于该半导体元件上;覆盖伪水膜(pseudo H2O film)于该第一阻障层上;及形成一旋涂式玻璃层于该伪水膜上,用以隔绝该相邻导线,并同时于该旋涂式玻璃层内形成一孔洞。21.如申请专利范围第20项之方法,其中上述之形成旋涂式玻璃后更包含平坦化该旋涂式玻璃层。22.如申请专利范围第21项之方法,其中上述之平坦化该旋涂式玻璃层后,更包含覆盖第二阻障层于该旋涂式玻璃层上。23.如申请专利范围第20项之方法,其中上述之相邻导线之间距至少小于0.5um。24.如申请专利范围第20项之方法,其中上述之孔洞系位于该相邻导线之间。25.如申请专利范围第24项之方法,其中上述之孔洞系用以调整该相邻导线间之介电常数(dielectric constant)。26.如申请专利范围第25项之方法,其中上述之孔洞大小之范围约在0.1um-0.2um。图式简单说明:第一图为传统制程中形成两个相邻半导体元件之截面示意图。第二图为传统制程中形成第一氧化矽层及旋涂式玻璃层之截面示意图。第三图为传统制程中平坦化旋涂式玻璃层及,于旋涂玻璃上方形成第二氧化矽层之示意图。第四图为本发明中形成第一氧化矽层于两个相邻半导体元件上之示意图。第五图为本发明中形成伪水膜(pseudo-H2O film)于第一氧化矽层上之截面示意图。第六图为本发明中制作旋图式玻璃层及孔洞于伪水膜上方之截面示意图。第七图为本发明中平坦化旋涂式玻璃层及,于旋涂玻璃上方形成第二氧化矽层之截面示意图。 |
