| 主权项 |
1.一种缩小型圆极化波操作的微带天线,系指在微带天线之正方形微片金属片内,蚀刻四个等长具90度弯曲细缝槽孔且将正方形微片金属片四个直角中的两个对角截去相同尺寸的小区域面积。2.如申请专利范围第1项所述之缩小型圆极化波操作的微带天线,其中正方形微片金属片制作在一个接地基底层上。3.如申请专利范围第1项所述之缩小型圆极化波操作的微带天线,其中每个90度弯曲槽孔的两臂等长。4.如申请专利范围第1项所述之缩小型圆极化波操作的微带天线,其中四个等长具90度弯曲槽孔的弯曲位置置于正方形微片金属片的两个对角线上,且对称于正方形微片金属片的中心点。5.如申请专利范围第1项所述之缩小型圆极化波操作的微带天线,其天线的馈入方式为同轴线馈入。图式简单说明:第一图为本发明之缩小型圆极化波操作的微带天线之结构图,在其正方形微片金属片(1)内蚀刻四个等长90度弯曲且对称于正方形微片金属片中心的细缝槽孔(2),并将正方形微片金属片四个直角中的两个对角同时截去相同尺寸的小区域面积(3);正方形微片金属片制作在一个接地基底层(substrate layer)上面,同轴线馈入(4)穿过接地金属片(5)及基底层(6)与正方形微片金属片连接;当同轴线馈入在(7)的位置时产生右旋圆极化波辐射,馈入在(8)的位置时产生左旋圆极化波辐射,实验量测选择馈入在(7)的位置。第二图为第一图在同轴线馈入下四个90度弯曲细缝槽孔长度为2.4公分的反射损耗(return loss)实验测量结果。正方形金属片边长2.8公分,基底介电常数4.4,厚度0.16公分,两相邻90弯曲槽孔距离为0.2公分,馈入点位置离金属片中心0.67公分,截角边长0.32公分。第三图为第一图在同轴线馈入下四个90度弯曲细缝槽孔长度为2公分的反射损耗实验测量结果。其他天线参数如第二图图示说明中所示。第四图为第一图在同轴线馈入下四个90度弯曲细缝槽孔长度为1.6公分的反射损耗实验测量结果。其他天线参数如第二图图示说明中所示。第五图为第二图的输入阻抗(input impedance)实验测量结果。第六图为第三图的输入阻抗实验测量结果。第七图为第四图的输入阻抗实验测量结果。第八图为第二图的天线辐射场型(radiation pattern)实验量测结果,粗线代表右旋圆极化(right-handcircluarly polarized)操作时的测量结果,细线代表左旋圆极化(left-hand circularly polarized)操作时的测量结果;(1)为xz-平面(垂直馈入点与金属片中心连线之方向)测量结果,(2)yz-平面(平行馈入点与金属片中心连线之方向)测量结果。第九图为第三图的天线辐射场型实验量测结果,粗线代表右旋圆极化操作时的测量结果,细线代表左旋圆极化操作时的测量结果;(1)为xz-平面(垂直馈入点与金属片中心连线之方向)测量结果,(2)yz-平面测量结果(平行馈入点与金属片中心连线之方向)测量结果。第十图为第四图的天线辐射场型实验量测结果,粗线代表右旋圆极化操作时的测量结果,细线代表左旋圆极化操作时的测量结果;(1)为xz-平面(垂直馈入点与金属片中心连线之方向)测量结果,(2)yz-平面(平行馈入点与金属片中心连线之方向)测量结果。 |
