| 主权项 |
1.一种半导体制造系统,包括:一具有一安全装置之吸气器基础气体净化器,耦接至互相流通的一气体分配网路,适用于一半导体装配设备,该气体分配网路供应净化后之气体至该半导体装配设备之至少一个晶圆处理室,其中该气体净化器包括一吸气器管柱,该吸气器管柱具有一进气口隔绝装置安置于其内部,该进气口隔绝装置具有一牺牲吸气床安置于其内部。2.一种半导体制造系统,包括:一具有一安全装置之吸气器基础气体净化器,耦接至互相流通的一气体分配网路,适用于一半导体装配设备,该气体分配网路供应净化后之气体至该半导体装配设备之至少一个晶圆处理室,其中该气体净化器包括一吸气器管柱,该吸气器管柱具有一牺牲吸气床安置于其内部。3.一种吸气器管柱,包括:一容器,具有一进气口、一出气口、及一容器壁,该容器壁延伸于该进气口与该出气口之间;一主要吸气器床,安置于该容器内部,用以净化一气体;以及一进气口隔绝装置,安置于该进气口与该主要吸气器床之间,其中该进气口隔绝装置用以避免大量的高杂质浓度气体流入该主要吸气器床。4.如申请专利范围第3项所述之吸气器管柱,其中该进气口隔绝装置包括:一圆筒状外壳,具有一上端及一下端;一多孔金属支撑,安置于该外壳之该下端;以及一牺牲吸气床,安置于该多孔金属支撑之上。5.如申请专利范围第4项所述之吸气器管柱,其中该进气口隔绝装置更包括一高融点之非金属内衬,用以将该牺牲吸气床与该外壳隔开。6.如申请专利范围第3项所述之吸气器管柱,其中该进气口隔绝装置包括:一圆筒状外壳,具有一上端及一下端;一多孔陶磁支撑,安置于该外壳之该下端;一层可融化材料,安置于该多孔陶磁支撑之上;以及一牺牲吸气床,安置于该层可融化材料之上。7.如申请专利范围第6项所述之吸气器管柱,其中该层可融化材料系包括不锈钢球。8.如申请专利范围第7项所述之吸气器管柱,其中该进气口隔绝装置更包括一高融点之非金属内衬,用以将该牺牲吸气床与该外壳隔开。9.一种吸气器管柱,包括:一容器,具有一进气口、一出气口、及一容器壁,该容器壁延伸于该进气口与该出气口之间;一主要吸气器床,安置于该容器内部,用以净化一气体;一多孔金属支撑,安置于该主要吸气器床之上;以及一牺牲吸气床,安置于该多孔金属支撑之上。10.如申请专利范围第9项所述之吸气器管柱,其中更包括一高融点之非金属内衬,用以将该牺牲吸气床、该多孔金属支撑、及该主要吸气器床之至少一部份与该外壳隔开。11.一种吸气器管柱,包括:一容器,具有一进气口、一出气口、及一容器壁,该容器壁延伸于该进气口与该出气口之间;一主要吸气器床,安置于该容器内部,用以净化一气体;一多孔陶磁支撑,安置于该主要吸气器床之上;一层可融化材料,安置于该多孔陶磁支撑之上;以及一牺牲吸气床,安置于该层可融化材料之上。12.如申请专利范围第11项所述之吸气器管柱,其中该层可融化材料系包括不锈钢球。13.如申请专利范围第12项所述之吸气器管柱,其中更包括一高融点之非金属内衬,用以将该牺牲吸气床、该层可融化材料、该多孔陶磁支撑、及该主要吸气器床之至少一部份与该外壳隔开。14.一种制造积体电路元件的方法,包括下列步骤:以一具有一安全装置之吸气器基础净化器净化一气体;将该净化后之气体供应到至少一个晶圆处理室;以及于该至少一个晶圆处理室处理一半导体晶圆,以得到一积体电路元件。15.如申请专利范围第14项所述之制造积体电路元件的方法,其中该吸气器基础净化器包括一吸气器管柱,该吸气器管柱具有一进气口隔绝装置安置于其内部,该进气口隔绝装置具有一牺牲吸气床安置于其内部。16.如申请专利范围第14项所述之制造积体电路元件的方法,其中该吸气器基础净化器包括一吸气器管柱,该吸气器管柱具有一牺牲吸气床安置于其内部。17.一种保护吸气器管柱之方法,包括下列步骤:融化一牺牲吸气材料以产生一液体;以及以该液体阻隔气体流过一多孔构件。18.如申请专利范围第17项所述之保护吸气器管柱之方法,其中该牺牲吸气材料及该多孔构件系安置于一进气口隔绝装置之内。19.如申请专利范围第17项所述之保护吸气器管柱之方法,其中该牺牲吸气材料及该多孔构件系安置于一主要吸气床之上,该主要吸气床安置于一吸气器管柱之内。图式简单说明:第一图A是依照本发明之一实施例之半导体制造系统之示意图。第一图B是依照本发明之一实施例之吸气器基础气体净化器12之示意图。第二图A是依照本发明之一实施例之具有进气口隔绝装置之吸气器管柱之示意图。第二图B是依照本发明之一实施例之具有进气口隔绝装置之吸气器管柱之上部之示意图。第三图A是依照本发明之一实施例之吸气器管柱之上部之剖面图。第三图B是依照本发明之另一实施例之吸气器管柱之上部之剖面图。第四图是本发明之保护吸气器管柱的方法的流程图。第五图是本发明之制造积体电路元件之方法之流程图。 |
