| 主权项 |
1.一种双闸极之制造方法,包括下列步骤:提供已形成有一隔离结构层之一基底;在该基底上,形成一罩幕层;定义该基底,形成一低电压区域及一高电压区域;在该低电压区域之该罩幕层上,形成一光阻层;进行离子植入;以该光阻层为罩幕,去除未被该光阻层覆盖的部分该罩幕层;去除该光阻层;在该高电压区域部分的该基底上,形成一第一氧化层;去除该低电压区域之该罩幕层;在该基底与该第一氧化层上,形成一第二氧化层;在该第二氧化层上,形成一导电层;以及定义该导电层、该第二氧化层及该第一氧化层,去除部分的该导电层、该第二氧化层及该第一氧化层,以形成一低压闸极及一高压闸极。2.如申请专利范围第1项所述之双闸极之制造方法,其中该罩幕层包括氮化矽层。3.如申请事利范围第1项所述之双闸极之制造方法,其中该罩幕层包括氮氧化矽层。4.如申请专利范围第1项所述之双闸极之制造方法,其中形成该罩幕层的方法包括化学气相沉积法。5.如申请专利范围第1项所述之双闸极之制造方法,其中形成该第一氧化层的方法包括热氧化法。6.如申请专利范围第1项所述之双闸极之制造方法,其中形成该第二氧化层的方法包括热氧化法。7.如申请专利范围第1项所述之双闸极之制造方法,其中该导电层包括多晶矽层。8.如申请专利范围第1项所述之双闸极之制造方法,其中形成该导电层的方法包括化学气相沉积法。9.如申请专利范围第1项所述之双闸极之制造方法,其中该隔离结构层包括浅沟渠隔离。10.如申请专利范围第1项所述之双闸极之制造方法,其中该隔离结构层包括场氧化层。11.一种具有双闸极半导体元件之制造方法,包括下列步骤:提供已形成有一隔离结构层之一基底;在该基底上,形成一罩幕层;定义该基底,形成一低电压区域及一高电压区域;在该低电压区域之该罩幕层上,形成一光阻层;进行离子植入;以该光阻层为罩幕,去除未被该光阻层覆盖的部分该罩幕层;去除该光阻层;在该高电压区域部分的该基底上,形成一第一氧化层;去除该低电压区域之该罩幕层;在该基底与该第一氧化层上,形成一第二氧化层;在该第二氧化层上,形成一导电层;定义该导电层、该第二氧化层及该第一氧化层,去除部分的该导电层、该第二氧化层及该第一氧化层,以形成一低压闸极及一高压闸极,其中该低压闸极位于该低电压区域中,该高压闸极位于该高压电压区域中;以及进行离子植入,在该低压闸极及该高压闸极两侧的该基底上,形成一源极/汲极区。12.如申请专利范围第11项所述之具有双闸极半导体元件之制造方法,其中该罩幕层包括氮化矽层。13.如申请专利范围第11项所述之具有双闸极半导体元件之制造方法,其中该罩幕层包括氮氧化矽层。14.如申请专利范围第11项所述之具有双闸极半导体元件之制造方法,其中形成该罩幕层的方法包括化学气相沉积法。15.如申请专利范围第11项所述之具有双闸极半导体元件之制造方法,其中形成该第一氧化层的方法包括热氧化法。16.如申请专利范围第11项所述之具有双闸极半导体元件之制造方法,其中形成该第二氧化层的方法包括热氧化法。17.如申请专利范围第11项所述之具有双闸极半导体元件之制造方法,其中该导电层包括多晶矽层。18.如申请专利范围第11项所述之具有双闸极半导体元件之制造方法,其中形成该导电层的方法包括化学气相沉积法。19.如申请专利范围第11项所述之具有双闸极半导体元件之制造方法,其中该隔离结构层包括浅沟渠隔离。20.如申请专利范围第11项所述之具有双闸极半导体元件之制造方法,其中该隔离结构层包括场氧化层。图式简单说明:第一图A至第一图F显示习知一种双闸极之制造流程的剖面示意图;第二图A至第二图I显示本发明一较佳实施例之一种具有双闸极半导体元件之制造流程的剖面示意图。 |
