发明名称 抛光垫、用以处理抛光垫的方法及装置、及抛光方法
摘要 一种抛光垫,供待抛光之工件压向其表面,其包括在高于抛光工件之操作温度及/或等于或高于抛光工件之操作压力的条件下压缩所得到的结构。一种抛光工件的方法,包括使用抛光垫抛光工件的步骤。
申请公布号 TW393368 申请公布日期 2000.06.11
申请号 TW088103624 申请日期 1999.03.09
申请人 信越半导体股份有限公司 发明人 田中好一;森田幸治;高久勉
分类号 B24B1/00 主分类号 B24B1/00
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种抛光垫,用此将待抛光之工件压向其表面,包活在高于抛光工件之操仵温度及/或等于或高于抛光工件之操仵压力的条件下压缩所得到的结构。2.根据申请专利范围第1项的抛光垫,其中的抛光垫在抛光工件期间的潜变很小。3.根据申请专利范围第1项的抛光垫,其中抛光垫的表面成形许多沟槽,供研磨料散布于抛光垫的整个表面,且研磨料很容易排出。4.根据申请专利范围第1项的抛光垫,其中的结构是发泡。5.一种处理附于旋转台之抛光垫的方法,供待抛光之工件压向抛光垫的表面,该方法包括的步骤有:在高于抛光工件之操作温度及/或等于或高于抛光工件之操作压力的条件下压缩抛光垫。6.根据申请专利范围第5项的方法,其中的压缩步骤是在抛光垫安装于旋转台前执行。7.根据申请专利范围第5项的方法,其中的抛光垫具有发泡结构。8.根据申请专利范围第5项的方法,进一步包括将抛光垫固定于两板状构件之间,藉对抛光垫施加压力以压缩抛光垫的步骤。9.根据申请专利范围第8项的方法,进一步包括对至少其中之一的板状构件外表面施加液压以压缩抛光垫的步骤。10.根据申请专利范围第8项的方法,进一步包括的步骤有:在两板状构件间配置密封构件以构成密闭空间,抛光垫置于其内;以及降低空间内的压力以使板状构件相互靠近。11.根据申请专利范围第8项的方法,进一步包括的步骤有:在两板状构件其中之一的内表面形成凹凸状;以及将凹凸状转移到抛光垫的表面。12.根据申请专利范围第11项的方法,其中成形于板状构件的凹凸状是凸起,以在抛光垫的表面形成沟槽,以使研磨料能散布于抛光垫的整个表面,且研磨料很容易排出。13.一种处理抛光垫的装置,供待抛光之工件压向抛光垫的表面,该装置包括:两片板状构件将抛光垫固定于其间以压缩抛光垫。14.根据申请专利范围第13项的装置,其中两片板状构件是藉施加于至少其中之一板状构件之外表面的液压压缩抛光垫。15.根据申请专利范围第13项的装置,进一步包括两板状构件间的密封构件,两板状构件与密封构件之间有一空间,其中藉降低空间中的压力以使板状构件相互靠近,藉以使两板状构件压缩置于空间内的抛光垫。16.根据申请专利范围第13项的装置,其中板状构件之一的内表面具有凹凸结构,且将凹凸结构转移给抛光垫的表面。17.根据申请专利范围第13项的装置,其中压缩抛光垫的两板状构件是装在可调温容器中。18.一种抛光工件的方法,包括的步骤有:使用具有在高于抛光工件之操作温度及/或等于或高于抛光工件之操作压力的条件下压缩得到之结构的抛光垫抛光工件。19.根据申请专利范围第18项的方法,其中抛光垫在抛光工件期间所造成的潜变很小。20.根据申请专利范围第18项的方法,其中抛光垫的表面具有许多沟槽,在抛光工件期间,有沟槽的面与工件接触,沟槽可使研磨料散布于抛光垫的整个表面,且研磨料很容易排出。图式简单说明:第一图是根据本发明第一种抛光垫处理装置之实施例的略图;第二图是根据本发明第二种抛光垫处理装置之实施例的略图;第三图A与第三图B示量测依照本发明实施例之抛光垫的厚度;其中第三图A显示抛光垫没有依照本发明实施例之方法处理所得到的结果,第三图B显示执行该方法后所得到的结果;第四图是一般用来抛光晶圆之抛光机的概图;以及第五图显示抛光负荷施加于抛光垫上每一部分的时间。
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