| 主权项 |
1.一种双层光罩(photomask)对准的检验法,包括:a.使用第一层光罩对准图案对晶片上特定位置之光阻进行第一次曝光;b.使用第二层光罩对准图案对上述之晶圆上特定位置之光阻进行第二次曝光,经上述之第二次曝光后能可保留所述第一光罩对准图案;c.将所述之光阻进行显影步骤;d.对照显影完后晶圆上第一层和第二层光罩对准图案之相对位置,以决定两次曝光图案对准的精确度。2.如申请专利范围第1项所述之双层光罩对准的检验法,其中所述之特定位置系位于晶片之剩余区域(redundant area)。3.如申请专利范围第1项所述双层光罩对准的检验法,其中所述之第一及第二光罩对准图案系为方格对准图案(box-in-box)检视图案。4.如申请专利范围第1项所述双层光罩对准的检验法,其中所述之第一及第二光罩对准图案系为游标尺(VNR)检视图案。5.一种双层光罩对准记号的结构,系包含:一基板;一光阻图案,系位于所述之基板上,而上述之光阻图案系为第一光罩对准图案与第二光罩对准图案经两次曝光相重叠所组成,而所述之光阻图案既保留第一光阻图案之图案,也表现出第二光阻图案。6.如申请专利范围第5项所述之双层光罩对准的结构,其中所述之光阻图案系位于晶片之剩余区域(redundant area)中。7.如申请专利范围第5项所述双层光罩对准的结构,其中所述之第一及第二光罩对准图案系为方格对准图案(box-in-box)检视图案。8.如申请专利范围第5项所述一种双层光罩对准的结构,其中所述之第一及第二光罩对准图案系为游标尺(VNR)检视图案。9.一种双层光罩(photomask)对准的检验法,包括:a.将晶片置入步进机中,使用第一层光罩对准图案对上特定位置之光阻进行第一次曝光;b.将上述之晶圆仍放置时上述之步进机中,直接使用第二层光罩对准图案对上述之晶圆上特定位置之光阻进行第二次曝光,经上述之第二次曝光后能可保留所述第一光罩对准图案;c.将所述之光阻进行显影步骤;d.对照显影完后晶圆上第一层和第二层光罩对准图案之相对位置,以决定两次曝光的光罩间的误差(mask enror)。10.如申请专利范围第9项所述之双层光罩对准的检验法,其中所述之特定位置系位于晶片之剩余区域(redundant area)。11.如申请专利范围第9项所述双层光罩对准的检验法,其中所述之第一及第二光罩对准图案系为方格对准图案(box-in-box)检视图案。12.申请专利范围第9项所述双层光罩对准的检验法,其中所述之第一及第二光罩对准图案系为游标尺(VNR)检视图案。13.一种双层光罩(photomask)对准的检验法,包括:a.将晶圆置入步进机中,使用第一层光罩对准图案对上特定位置之光阻进行第一次曝光后,将上述之晶圆移出步进机;b.将上述之晶圆再度移入上述之步进机中,续使用第二层光罩对准图案对上述之晶圆上特定位置之光阻进行第二次曝光,经上述之第二次曝光后能可保留所述第一光罩对准图案;c.将所述之光阻进行显影步骤;d.对照显影完后晶圆上第一层和第二层光罩对准图案之相对位置,以决定两次曝光间底材误差(layererror)。13.如申请专利范围第13项所述之双层光罩对准的检验法,其中所述之特定位置系位于晶片之剩余区域(redundant area)。14.如申请专利范围第13项所述双层光罩对准的检验法,其中所述之第一及第二光罩对准图案系为方格对准图案(box-in-box)检视图案。15.申请专利范围第13项所述双层光罩对准的检验法,其中所述之第一及第二光罩对准图案系为游标尺(VNR)检视图案。图式简单说明:第一图A-C为习知技术中光罩图案对准设计之示意图。第一图D为习知技术中光罩对准后之制程剖面示意图。第二图A-C为本发明中光罩图案对准设计之示意图。第三图A-C为本发明中光罩图案对准之制程剖面示意图。第四图A-C为本发明中运用于习知技术中,二层图案示意图。第四图D为本发明中运用于习知技术中之制程剖面示意图。第五图A-C为本发明中运用于另一种对准图案-游标尺(VNR)之示意图。 |
