| 主权项 |
1.一种动态随机存取记忆体的制造方法,包括下列步骤:在一基底上形成一多重堆叠结构,其中该多重堆叠结构系由依序在该基底上形成一闸极电极层与一牺牲层组合而成;透过该牺牲层上相似的一具复数个牺牲结构之图案的形成,定义该多重堆叠结构,以形成一具复数个闸极电极之图案;沿着该些闸极电极形成复数个源/汲极区;形成一导电层于该具复数个牺牲结构之图案上,该导电层延伸覆盖住该些牺牲结构之其一,以及对应的该些闸极电极之其一,以与分别位于该其一之间极电极的两侧的一第一、第二源/汲极区相接,其中该导电层的一水平部份横跨过该其一之牺牲结构的一上方表面;移除至少部份的该导电层之该水平部份,以定义出一第一导电结构连往该第一源/汲极区,定义出一第二导电结构连往该第二源/汲极区;移除至少部份的该第一牺牲结构,暴露出先前被该牺牲结构移除部份覆盖的该第一导电结构的一垂直面;形成一介电层在该第一导电结构暴露出来之表面;形成一导电上电极于该介电层上;形成一内层绝缘层于该导电上电极上;以及形成一位元线连往该第二导电结构。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中更进一步包括沿着该些闸极电极,形成复数个绝缘间隙壁于该些闸极电极与该导电层之间。3.如甲请专利范围第1项所述之方法,其中该些绝缘间隙壁的形成方法包括下列步骤:沈积一绝缘层于该些牺牲结构上,并沿着该些闸极之两侧延伸;以及回蚀该绝缘层以形成该些绝缘间隙壁。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该绝缘层系为氮化矽。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该回蚀的步骤系以一牺牲层做为一蚀刻阻挡层。6.如申请专利范围第3项所述之方法,其中更进一步包括在沈积该绝缘层的步骤后,与形成该导电层的步骤前,将氧化物由该些源/汲极区表面移除,以暴露出该基底的步骤。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该导电层系为多晶矽。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该导电层系为具掺质的多晶矽。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该导电层系以低压化学气相沈积法形成。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中更进一步包括在该导电层上沈积一平坦层的步骤,其中移除至少部份的该导电层之该水平部份的步骤系在沈积该平坦层的步骤后进行。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中移除至少部份的该导电层之该水平部份的步骤包括一研磨步骤。12.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该牺牲层与该平坦层均为氧化物。13.如申请专利范围第10项所述之方法,其中移除至少部份该其一之牺牲结构以暴露该其一之牺性结构与平坦层系在一共同蚀刻环境下进行,而且该平坦层被移除的一第一厚度大于该牺牲层被移除的一第二厚度。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该牺牲层与该平坦层均为氧化物。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该蚀刻阻挡层该其一之牺牲层与该其一之闸极电极间,该蚀刻阻挡层具有一厚度,且以一成份组成,藉以使得蚀刻阻挡层在该平坦层被移除后仍保留在该其一之闸极电极上。16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中在该第一导电结构上的该平坦层完全移除。17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中移除至少部份该牺牲层的步骤系以一含氟的化学药剂进行乾蚀刻步骤。18.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该蚀刻阻挡层系为氮化矽。19.一种动态随机存取记忆体的制造方法,包括下列步骤:在一基底之一主动元件区上形成一闸极氧化层、一闸极电极层、一蚀刻阻挡层与一牺牲层,藉以形成一多重堆叠结构;在该堆叠结构上形成一蚀刻罩幕,并利用该蚀刻罩幕蚀刻穿透该牺牲层、该蚀刻阻挡层与该闸极电极层,以形成一具复数个闸极电极之图案,覆盖于相似的一具复数个牺牲结构之图案上;以离子布値法对准该具复数个牺牲结构之图案,沿着该闸极电极之两侧形成一绝缘间隙壁;形成一多晶矽层于该具复数个牺牲结构之图案上,该多晶矽层延伸覆盖该些牺牲结构之其一的两侧,并与对应的该些闸极电极之其一的侧边相邻,以与在该其一之闸极电极其中一边的一第一及第二源/汲极区相连接,该多晶矽层的一水平部份延伸横跨过该牺牲结构之上表面。形成一平坦层于该多晶矽层上。移除部份的该多晶矽层以暴露出该牺牲结构之一表面,形成一第一多晶矽结构与该第一源/汲极区相连,一第二多晶矽结构与该第二源/汲极区相连;蚀刻该牺牲结构以暴露出先前被该牺牲结构覆盖的该第一导电结构之一第一垂直延伸表面;蚀刻该平坦层以暴露出先前被该平坦层覆盖的该第一导电结构之一第二垂直延伸表面;形成一介电层于该第一导电结构之该第一与该第二垂直延伸表面上;形成一导电上电极与该介电层上;形成一内层绝缘层于该导电上电极上;以及形成一位元线与该第二导电结构相连接。20.如申请专利范围第19项所述之方法,其中蚀刻该牺牲结构与蚀刻该平坦层的步骤系同时进行,其中在蚀刻穿过该平坦层后接着蚀刻该牺牲结构。21.如申请专利范围第20项所述之方法,其中蚀刻该牺牲结构的步骤结束于该蚀刻阻挡层上。22.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该蚀刻阻挡层具有一厚度,且具有一成分使得完全蚀刻穿过该平坦层后该蚀刻阻挡层仍有部份覆盖在该闸极电极上。23.如申请专利范围第22项所述之方法,其中该蚀刻阻挡层系为氮化矽。图式简单说明:第一图至第六图绘示依照本发明一较佳实施例,一种制造动态随机存取记忆体的流程剖面图。 |
