| 主权项 |
1.一种隔离结构的制造方法,该方法包括:提供一基底;形成一黏着层于该基底上;形成一硬罩幕层于该黏着层上;形成一去除终止层于该硬罩幕层上;去除部份的该去除终止层、该硬罩幕层以及该黏着层,形成大面积的复数个第一沟渠以及小面积的复数第二沟渠,该些第一沟渠以及该些第二沟渠的底部仍保留部份厚度的该黏着层;形成一介电层,填满该些第一沟渠以及该些第二沟渠;回蚀该介电层,暴露出该去除终止层和该些第一沟渠底部之基底表面,在该些第一沟渠的侧壁形成复数个第一间隙壁,但是该些第二沟渠底部仍覆盖有该介电层;热氧化暴露出的该基底,形成一场氧化层于该些第一沟渠之底部;去除该些第二沟渠底部的该介电层、黏着层以及该基底,形成复数个第三沟渠;热氧化暴露出的该基底,将该些第三沟渠填满,形成一浅沟渠隔离;去除该去除终止层;以及去除该硬罩幕层。2.如申请专利范围第1项所述之隔离结构的制造方法,其中该黏着层包括垫氧化层。3.如申请专利范围第1项所述之隔离结构的制造方法,其中该黏着层的厚度约200-400A。4.如申请专利范围第1项所述之隔离结构的制造方法,其中该硬罩幕层的材质包括氮化矽。5.如申请专利范围第1项所述之隔离结构的制造方法,其中该些第一沟渠以及该些第二沟渠的底部所保留部份厚度的该垫氧化层,其厚度约100A。6.如申请专利范围第1项所述之隔离结构的制造方法,其中该些第三沟渠的宽度约0.05-0.1m。7.一种隔离结构的制造方法,该方法包括:提供一基底;形成一黏着层于该基底上;形成一硬罩幕层于该黏着层上;形成一去除终止层于该硬罩幕层上;去除部份的该去除终止层、该硬罩幕层以及该黏着层,形成一第一沟渠,该第一沟渠的底部仍保留部份厚度的该黏着层;形成复数个间隙壁在该第一沟渠的侧壁;去除该第一沟渠底部的该介电层、黏着层以及该基底,形成一第二沟渠;以及热氧化暴露出的该基底,填满该第二沟渠,形成一隔离结构。8.如申请专利范围第7项所述之隔离结构的制造方法,其中该黏着层包括垫氧化层。9.如申请专利范围第7项所述之隔离结构的制造方法,其中该黏着层的厚度约200-400A。10.如申请专利范围第7项所述之隔离结构的制造方法,其中该去除终止层的材质包括氧化矽。11.如申请专利范围第7项所述之隔离结构的制造方法,其中该些第一沟渠以及该些第二沟渠的底部所保留部份厚度的该垫氧化层,其厚度约100A。12.如申请专利范围第7项所述之隔离结构的制造方法,其中该些第三沟渠的宽度约0.05-0.1m。13.一种场氧化层的制造方法,该方法包括:一种隔离结构的制造方法,该方法包括:提供一基底;形成一黏着层于该基底上;形成一硬罩幕层于该黏着层上;形成一去除终止层于该硬罩幕层上;去除部份的该去除终止层、该硬罩幕层以及该黏着层,形成一第一沟渠,该第一沟渠的底部仍保留一薄层的黏着层;形成复数个间隙壁在该第一沟渠的侧壁,暴露出该基底的表面;以及热氧化暴露出的该基底,填满该第二沟渠,形成一隔离结构。14.如申请专利范围第13项所述之隔离结构的制造方法,其中该黏着层包括垫氧化层。15.如申请专利范围第13项所述之隔离结构的制造方法,其中该黏着层的厚度约200-400A。16.如申请专利范围第13项所述之隔离结构的制造方法,其中该去除终止层的材质包括氧化矽。17.如申请专利范围第13项所述之隔离结构的制造方法,其中该些第一沟渠以及该些第二沟渠的底部所保留部份厚度的该垫氧化层,其厚度约100A。图式简单说明:第一图A至第一图E系绘示习知一种浅沟渠隔离区之制造流程剖面图;以及第二图A-第二图G,其绘示依照本发明一较佳实施例的一种浅沟渠隔离的制造流程剖面图。 |
