| 主权项 |
1.一种以中子束照射编码之唯读记忆体的制造方法,系包含下列步骤:(a)于半导体基板上形成井区,并定义出隔离区和主动区;(b)于所述主动区内,形成矽同位素区;(c)形成一层闸氧化层与复晶矽层,并定义出复晶矽字元线结构;(d)完成唯读记忆体之场效电晶体结构;(e)依序形成一层第一介电层和护层于整个半导体基板表面;(f)涂布一层光阻于所述护层表面,并定义出编码窗口;以及(g)进行中子束照射,以使所述半导体基板内的同位素转变为五价的杂质。2.如申请专利范围第1项所述之以中子束照射编码之唯读记忆体的制造方法,其中所述唯读记忆体是光罩式唯读记忆体(Mask ROM)。3.如申请专利范围第1项所述之以中子束照射编码之唯读记忆体的制造方法,其中所述半导体基板的材料是矽。4.如申请专利范围第1项所述之以中子束照射编码之唯读记忆体的制造方法,其中所述同位素是矽同位素(Si30)。5.如申请专利范围第4项所述之以中子束照射编码之唯读记忆体的制造方法,其中所述矽同位素(Si30),其植入能量为20到150keV之间,而植入剂量介于1E12到1E15离子/平方公分之间。6.如申请专利范围第1项所述之以中子束照射编码之唯读记忆体的制造方法,其中所述第一介电层是硼磷搀杂玻璃(BPSG)。7.如申请专利范围第1项所述之以中子束照射编码之唯读记忆体的制造方法,其中所述护层是选自二氧化矽(SiO2)和氮化矽之一。8.如申请专利范围第1项所述之以中子束照射编码之唯读记忆体的制造方法,其中所述光阻是能够阻挡中子之光阻。9.如申请专利范围第1项所述之以中子束照射编码之唯读记忆体的制造方法,其中所述光阻是能够吸收中子之光阻。10.如申请专利范围第1项所述之以中子束照射编码之唯读记忆体的制造方法,其中所述步骤(g)进行中子束照射后,产生五价的磷离子(P31)。11.一种以中子束照射编码之唯读记忆体的制造方法,系包含下列步骤:(a)于半导体基板上形成井区,并定义出隔离区和主动区;(b)形成一层闸氧化层与复晶矽层,并定义出字元线结构;(c)完成唯读记忆体之场效电晶体结构;(d)依序形成一层第一介电层和护层于整个半导体基板表面;(e)涂布一层光阻于所述护层表面,并定义出编码窗口;以及(f)进行中子束照射,以使所述半导体基板内的同位素转变为五价的杂质。12.如申请专利范围第11项所述之以中子束照射编码之唯读记忆体的制造方法,其中所述唯读记忆体是光罩式唯读记忆体(MaskROM)。13.如申请专利范围第11项所述之以中子束照射编码之唯读记忆体的制造方法,其中所述半导体基板的材料是矽。14.如申请专利范围第11项所述之以中子束照射编码之唯读记忆体的制造方法,其中所述第一介电层是硼磷搀杂玻璃(BPSG)。15.如申请专利范围第11项所述之以中子束照射编码之唯读记忆体的制造方法,其中所述护层是选自二氧化矽(SiO2)和氮化矽之一。16.如申请专利范围第11项所述之以中子束照射编码之唯读记忆体的制造方法,其中所述光阻是能够阻挡中子之光阻。17.如申请专利范围第11项所述之以中子束照射编码之唯读记忆体的制造方法,其中所述光阻是能够吸收中子之光阻。18.如申请专利范围第11项所述之以中子束照射编码之唯读记忆体的制造方法,其中所述步骤(f)进行中子束照射后,产生五价的磷离子(P31)。图式简单说明:第一图为习知技艺罩幕式唯读记忆体(Mask ROM)的电路示意图。第二图为本发明实施例于形成矽同位素区及N+搀杂区后之剖面图。第三图(A)、第三图(B)为本发明实施例于形成第一介电层厚后之剖面图。第四图(A)、第四图(B)为本发明实施例将罩幕式唯读记忆体区域内以中子束照射形成程式码后之剖面图。 |
