含有浅沟渠隔离之积体电路装置

摘要

一种于矽晶片的活性表面上形成填有氧化矽之浅沟渠的制程，开始是于矽晶片内形成具有铅垂侧壁之靠上边部分以及具有逐渐变小侧壁之靠下边部分的沟渠。然后选择性地将氧(离子)植入沟渠靠下边部分的侧壁内并加热晶片以便植入的气(离子)与矽反应而形成氧化矽。然后以淀积的氧化矽填充于其余的沟渠内,通常是利用于表面淀积一层氧化矽然后基本上将淀积的氧化矽平坦化成沟渠顶端的位准。填有氧化矽之浅沟渠扮演着将晶片的表面部分分割成分开的区域,而每一个区域都可以用来容纳积体电路上的一个或是更多的电路元件。

主权项

1.一种制程系用于制造半导体装置而含有形成隔离沟渠步骤,这些步骤包括:于半导体基片内形成沟渠;将气离子植入该沟渠内;加热基片以便于植入氧离子处形成氧化矽;以及以介电层填充该沟渠。图式简单说明:第一图-第六图、显示的是根据本发明形成填充有氧化矽之沟渠的程序中之矽晶片在不同步骤时的截面图。