| 主权项 |
1.一种改良下层金属基质防蚀性之方法,其系藉由 使一含有金属原子和氧原子的附着性底涂层形成 在金属基质上,该方法包括步骤: (I)使附着性底涂层接触水性密封组合物,接触时间 足以有效地改良下层金属基质在完成此作业后于 盐喷洒试验中的抗蚀性,该水性密封组合物包括水 、至少0.012M溶解的钒原子(在十钒酸根阴离子中) 、及溶解的十钒酸根阴离子之相对离子以及总数 不超过0.030M之任一阴离子形式的钨,及 (II)中断步骤(I)中所进行的接触,及在不大于100℃ 的温度乾燥金属基质表面。2.如申请专利范围第1 项之方法,其中金属基质为铝或包括至少45%铝之铝 合金,且附着性底涂层为水性底涂层组合物与金属 基质接触而在其上形成之转化底涂层,该底涂层组 合物由下列成分之水溶液反应而成: (A)钴(II)阳离子; (B)羧酸阴离子; (C)除羧酸阴离子外之化学成分,该成分比钴(II)阳 离子更能与钴(III)阳离子形成稳定配位键;和 (D)氧化剂;其含量足以使得产物比只含水、和成分 (A)(B)(C)、成分(A)(B)(C)之相对离子(不属于成分(A)(B) (C)的部分)、以及这些成分的反应产物之先驱组合 物,更能增加在160至450奈米波长范围的紫外光吸收 , 其中,在反应前水溶液之成分(B)之莫耳数对成分(A) 之莫耳数的比,为0.10至6.8,且底涂层组合物中亚硝 酸盐、氧化铝、和铵离子的含量均不超过1.0%。3. 如申请专利范围第2项之方法,其中水性密封组合 物之十钒酸根离子形式中的钒原子浓度,为0.007至0 .50M,在与转化底涂层接触时,密封组合物的温度为 40至75℃,且密封组合物与转化底涂层的接触时间 为1.0至30分钟。4.如申请专利范围第3项之方法,其 中在金属基质上形成之附着性转化底涂层,系使pH 値为4.5至8.5间的水性底涂层组合物与基质接触而 形成,该底涂层组合物本质上包括水和下列成分: (A)0.008至0.8M钴原子; (B)羧酸阴离子莫耳浓度为钴原子莫耳浓度之0.4至4 .0倍; (C)有机胺总莫耳浓度为钴原子莫耳浓度之0.06至2.0 倍; (D)过氧化物总莫耳浓度为钴原子莫耳浓度之0.10至 5倍;及 (E)硝酸盐离子莫耳浓度为钴原子莫耳浓度之0.1至 10倍。5.如申请专利范围第4项之方法,其中水性密 封组合物之十钒酸根离子形式中的钒原子浓度,为 0.020至0.30M,在与转化底涂层接触时,密封组合物的 温度为45至72℃,且密封组合物与转化底涂层的接 触时间为2.0至30分钟。6.如申请专利范围第5项之 方法,其中在金属基质上形成之附着性转化底涂层 ,系使pH値为5.0至8.0间的水性底涂层组合物与基质 接触而形成,该底涂层组合物本质上包括水和下列 成分: (A)0.016至0.6M钴原子; (B)羧酸阴离子莫耳浓度为钴原子莫耳浓度之0.8至3 .7倍; (C)有机胺总莫耳浓度为钴原子莫耳浓度之0.13至1. 75倍; (D)过氧化物总莫耳浓度为钴原子莫耳浓度之0.20至 至3倍;及 (E)硝酸盐离子莫耳浓度为钴原子莫耳硷度之0.4至5 倍。7.如申请专利范围第6项之方法,其中水性密封 组合物之十钒酸根离子形式中的钒原子浓度,为0. 030至0.20M,在与转化底涂层接触时,密封组合物的温 度为48至67℃,且密封组合物与转化底涂层的接触 时间为2.5至12分钟。8.如申请专利范围第7项之方 法,其中在金属基质上形成之附着性转化底涂层, 系使pH値为5.5至7.9间的水性底涂层组合物与基质 接触而形成,该底涂层组合物本质上包括水和下列 成分: (A)0.016至0.6M钴原子; (B)羧酸阴离子莫耳浓度为钴原子莫耳浓度之1.2至3 .4倍; (C)有机胺总莫耳浓度为钴原子莫耳浓度之0.20至1. 50倍; (D)过氧化物总莫耳浓度为钴原子莫耳浓度之0.30至 2倍;及 (E)硝酸盐离子莫耳浓度为钴原子莫耳浓度之0.6至3 .5倍。9.如申请专利范围第8项之方法,其中水性密 封组合物之十钒酸根离子形式中的钒原子浓度,为 0.040至0.12M,在与转化底涂层接触时,密封组合物的 温度为53至65℃,且密封组合物与转化底涂层的接 触时间为3.0至8分钟。10.如申请专利范围第9项之 方法,其中在金属基质上形成之附着性转化底涂层 ,系使pH値为6.0至7.8间的水性底涂层组合物与基质 接触而形成,该底涂层组合物本质上包括水和下列 成分: (A)0.032至0.4M钴原子; (B)羧酸阴离子莫耳浓度为钴原子莫耳浓度之1.5至3 .1倍; (C)有机胺总莫耳浓度为钴原子莫耳浓度之0.24至1. 00倍; (D)过氧化物总莫耳浓度为钴原子莫耳浓度之0.40至 1.5倍;及 (E)硝酸盐离子莫耳浓度为钴原子莫耳浓度之0.8至3 .0倍。11.如申请专利范围第10项之方法,其中水性 密封组合物之十钒酸根离子形式中的钒原子浓度, 为0.050至0.10M,在与转化底涂层接触时,密封组合物 的温度为55至63℃,且密封组合物与转化底涂层的 接触时间为3.5至7分钟,且步骤(II)的温度不超过66 ℃。12.如申请专利范围第11项之方法,其中在金属 基质上形成之附着性转化底涂层,系在35至80℃的 温度下,使pH値为6.2至约7.7间的水性底涂层组合物 与基质接触而形成,其接触可为喷布10秒至5分钟, 或为浸渍1.0至12分钟,该底涂层组合物本质上包括 水和下列成分: (A)0.045至0.2M钴原子; (B)羧酸阴离子莫耳浓度为钴原子莫耳浓度之1.8至3 .0倍; (C)有机胺总莫耳浓度为钴原子莫耳浓度之0.28至0. 75倍; (D)过氧化物总莫耳浓度为钴原子莫耳浓度之0.50至 1.0倍;及 (E)硝酸盐离子莫耳浓度为钴原子莫耳浓度之1.0至2 .8倍。13.如申请专利范围第12项之方法,其中水性 密封组合物之十钒酸根离子形式中的钒原子浓度, 为0.055至约0.09M,在与转化底涂层接触时,密封组合 物的温度为57至63℃,且密封组合物与转化底涂层 的接触时间为4.0至6.5分钟。14.如申请专利范围第 13项之方法,其中在金属基质上形成之附着性转化 底涂层,系在40至75℃的温度下,使pH値为6.4至7.6间 的水性底涂层组合物与基质接触而形成,其接触可 为喷布30秒至3分钟,或为浸渍2.0至8分钟,该底涂层 组合物本质上包括水和下列成分: (A)0.055至0.14M钴原子; (B)羧酸阴离子莫耳浓度为钴原子莫耳浓度之2.2至2 .9倍; (C)有机胺总莫耳浓度为钴原子莫耳浓度之0.32至0. 60倍; (D)过氧化物总莫耳浓度为钴原子莫耳浓度之0.65至 0.90倍;及 (E)硝酸盐离子莫耳浓度为钴原子莫耳浓度之1.2至2 .4倍。15.如申请专利范围第14项之方法,其中水性 密封组合物之十钒酸根离子型式中的钒原子浓度, 为0.060至0.080M,在与转化底涂层接触时,密封组合物 的温度为57至63℃,且密封组合物与转化底涂层的 接触时间为4.3至6.0分钟。16.如申请专利范围第11 项之方法,其中在金属基质上形成之附着性转化底 涂层,系在45至65℃的温度下,使pH値为6.5至7.4间的 水性底涂层组合物与基质接触而形成,其接触可为 喷布1.0至2.0分钟,或为浸渍2.8至6分钟,该底涂层组 合物本质上包括水和下列成分: (A)0.063至0.14M钴原子; (B)羧酸阴离子莫耳浓度为钴原子莫耳浓度之2.3至2 .8倍; (C)有机胺总莫耳浓度为钴原子莫耳浓度之0.34至0. 45倍; (D)过氧化物总莫耳浓度为钴原子莫耳浓度之0.68至 0.80倍;及 (E)硝酸盐离子莫耳浓度为钴原子莫耳浓度之1.6至2 .2倍。17.如申请专利范围第16项之方法,其中水性 密封组合物之十钒酸根离子型式中的钒原子浓度, 为0.068至0.077M,在与转化底涂层接触时,密封组合物 的温度为57至63℃,且密封组合物与转化底涂层的 接触时间为4.3至约5.7分钟。18.如申请专利范围第 17项之方法,其中在金属基质上形成之附着性转化 底涂层,系在49至60℃的温度下,使pH値为6.8至7.2间 的水性底涂层组合物与基质接触而形成,其接触可 为喷布90秒至1.55分钟,或为浸渍3.9至5分钟,该底涂 层组合物本质上包括水和下列成分: (A)0.074至0.080M钴原子; (B)醋酸阴离子莫耳浓度为钴原子莫耳浓度之2.5至2 .8倍; (C)三乙醇胺总莫耳浓度为钴原子莫耳浓度之0.35至 0.41倍; (D)过氧化物总莫耳浓度为钴原子莫耳浓度之0.71至 0.77倍;及 (E)硝酸盐离子莫耳浓度为钴原子莫耳浓度之1.8至2 .2倍。19.一种改良下层金属基质防蚀性之方法,该 方法包括步骤: (i)在金属基质上形成含有钴原子和氧原子之附着 性转化底涂层;和 (ii)使附着性底涂层接触水性密封组合物,接触时 间足以有效地改良下层金属基质在完成此作业后 于盐喷洒试验中的抗蚀性,该水性密封组合物包括 一或多种阴离子形式之钒酸根及视情况亦包括一 或多种阴离子形式之溶解的钨;及 (iii)中断步骤(i)中所进行的接触,及在不大于100℃ 的温度乾燥金属基质表面, 其中改良包括在步骤(i)和步骤(ii)间,使用至少历1 分钟之一附加中间步骤,该步骤系使纯水与附着性 转化底涂层接触,且纯水中视情况包含氧化剂。20. 如申请专利范围第19项之方法,其中 (a)步骤(i)系使水性液体组合物在充分时间内与金 属基质接触,以便在基质上形成转化底漆涂层,该 水性液体组合物包括如下之水溶液的反应产物: (A)钴(II)阳离子; (B)羧酸阴离子; (C)除羧酸阴离子外之化学成分,该成分比钴(II)阳 离子更能与钴(III)阳离子形成稳定配位键;和 (D)氧化剂;其含量足以使得产物比只含水、和成分 (A)(B)(C)、成分(A)(B)(C)之相对离子(不属于成分(A)(B) (C)的部分)、以及这些成分的反应产物之先驱组合 物,更能增加在160至450奈米波长范围的紫外光吸收 , (b)转化底涂层与纯水接触之中间步骤,至少持续3 分钟;且 (c)密封组合物包括溶解之一种或多种阴离子形式 之钨,其计量上的用量至少等于1.0克/升钨酸钠。 |
