| 主权项 |
1.一种正特性半导体磁器之制造方法,其特征在于: 准备以实质上不含有Si之BaTiO3为主成分的钛酸钡 系半导体之组成物的烧物, 各自准备Ba2TiSi2O8及BanTimOn+2m(1≦n≦4,2≦m≦13,n<m) 之添加组成物, 配合前述主组成物之烧物及前述添加组成物并 混合后,予以构成使进行烧成。2.如申请专利范围 第1项之正特性半导体磁器之制造方法,其中前述 添加组成物系各自经热处理反应而得的反应物。3 .如申请专利范围第1项之正特性半导体磁器之制 造方法,其中对前述钛酸钡系半导体之主组成物100 莫耳,前述Ba2TiSi2O8之含有量系0.25莫耳-3莫耳,前述 BanTimOn+2m(1≦n≦4,2≦m≦13,n<m)之含有量系0.03莫耳-6 .5莫耳。4.如申请专利范围第1项之正特性半导体 磁器之制造方法,其中对前述钛酸钡系半导体之主 组成物100莫耳,前述Ba2TiSi2O8之含有量系0.35莫耳-2 莫耳,前述BanTimOn+2m(1≦n≦4,2≦m≦13,n<m)之含有量 系0.1莫耳-4莫耳。5.如申请专利范围第1项之正特 性半导体磁器之制造方法,其中于前述主组成物之 中,含有供半导体化而用的半导体化剂。6.如申请 专利范围第1项之正特性半导体磁器之制造方法, 其中于前述主组成物中系含有Mn作为特性改质剂 。7.如申请专利范围第1项之正特性半导体磁器之 制造方法,其中前述主组成物之烧为在烧温度 1000-1400℃进行。8.如申请专利范围第2项之正特性 半导体磁器之制造方法,其中由前述添加组成物之 热处理引起的反应为在反应温度1000-1400℃处理。9 .如申请专利范围第2项之正特性半导体磁器之制 造方法,其中前述添加组成物为在平均粒径0.1-3.0 m之粒状态配合。10.如申请专利范围第1项之正 特性半导体磁器之制造方法,其中前述烧成系在大 气中,于烧成温度1300-1400℃处理。图式简单说明: 第一图为表示本发明试样及比较例试样之烧温 度与比电阻间的关系图。 |
