| 摘要 |
提供一种依丘克拉斯基法由矽融液培育矽单结晶时所用之种晶,此种晶之先端部之热放射率介于0.5以上至 l.O以下范围。种晶先端部包括与矽融液接触之部份之一部份或全部,或与矽融液接触之部份及与该部份接近但不与矽融液接触之部份。种晶之先端部之表面每1 c㎡中至少形成有16条之宽度O.3~l.Omm之细沟,或种晶之先端部之表面经由喷砂处理形成有微小之凹凸,或种晶之先端部之表面经由氧化处理形成有SiO2膜。使用上述种晶,令其与矽融液接触时,种晶先端部之热应力得以缓和,从而可以发挥防止转位之发生,缩短形成缩颈之作业时间且可确实的支持大重量之单结晶。 |
| 主权项 |
1.一种矽单结晶之种晶,其系依丘克拉斯基法(CZ法) 由矽融液培育单结晶时使用之矽单结晶之种晶,其 特征为于与上述之矽融液接触之种晶之先端部之 一部或全部的表面形成有多数之宽度0.3-1.0mm之细 沟,且该种晶之该先端部之热放射率系介于0.5-1.0 范围者。2.一种矽单结晶之种晶,其系依丘克拉斯 基法(CZ法)由矽融液培育单结晶时使用之矽单结晶 之种晶,其特征为其与上述之矽融液接触之种晶之 先端部之一部分或全部的表面系藉由喷砂处理形 成有微小的凹凸,且该种晶之该先端部之热放射率 系介于0.5-1.0范围者。3.一种矽单结晶之种晶,其系 依丘克拉斯基法(CZ法)由矽融液培育单结晶时使用 之矽单结晶之种晶,其特征为其与上述之矽融液接 触之种晶之先端部之一部分或全部的表面系藉由 氧化处理形成有SiO2膜,且该种晶之该先端部之热 放射率系介于0.5-1.0范围者。4.如申请专利范围第1 -3项之任一项之矽单结晶之种晶,其中该种晶之先 端部系指与矽融液接触之部分及与该部分接近但 不与矽融液接触之部分者。5.如申请专利范围第1 项之矽单结晶之种晶,其中形成于该种晶之先端部 表面之细沟系每1cm2中至少有16条者。图式简单说 明: 第一图为本发明第1实施例之种晶之斜视图; 第二图为第一图之种晶之A-A线断面图; 第三图为本发明第2实施例之种晶之斜视图; 第四图为第三图之种晶之B-B线断面图; 第五图为本发明第3实施例之种晶之斜视图; 第六图为第五图之种晶之C-C线断面图; 第七图为使用本发明之种晶之单结晶培育之示意 图; 第八图为CZ法所使用单结晶培育装置之概略断面 图。 |
