发明名称 用于金属修整装置之较低预热块
摘要 揭示一种用于金属修整装置(5)之较低预热块装置(9)。较低预热块装置具有一较低块(38)及一接合在其上之延伸块(39),及一覆在较低块上之前方表面(46)。一气体排出口(56)界定在较低块之前方表面中。延伸块有一部分覆在气体放出口上,如此,一气体排出口孔口(70)被界定在延伸块旁较低块中之前方表面中。延伸块包括一较高表面(58),其自较低块前方表面向前延伸,且相对于较低块之较高表面(41)构成一个凹处。在此构造下,当一薄片状之氧化气流(82),分别地,通过较低块之较高表面及延伸块时,且当一燃料气(85)经由气体排出口流出时,然料气就以气体地压缩在氧化气流及延伸块之较高表面之间,如此使燃料气体以大致上地均匀地沿着较低预热块之纵向长度来分配且构成一均匀片状之燃料气流(90),其覆在且邻接在该氧化气流之下方,如此,以防止周围之空气被吸入在氧化气流中,于是可在金属之工作件上形成一平滑及均匀之修整面。
申请公布号 TW393357 申请公布日期 2000.06.11
申请号 TW087121722 申请日期 1998.12.28
申请人 ESAB集团公司 发明人 史蒂芬黑安乔
分类号 B23K33/00;B23K5/00 主分类号 B23K33/00
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种使用在一热化学修整装置中之较低预热块 总成包 括: 一块件,具有相对立之较高及较低之表面,相对立 之 端部表面,及相对立之前方及后方表面其延伸在该 端部表 面之间以界定其间之一纵向之延伸, 一延伸块件,其自该块件之前端表面往前方向延伸 , 且包括一第二较高表面其平行该块件之较高表面, 且使该 第二较高表面间隔在该块件之较高表面之下面,如 此,使 其界定在一预先决定之高度,而其中第二表面自该 前方表 面向前延伸大约为该预先决定高度之2 1/2至5倍之 间的距 离,且 气体出口装置放置在连通在块件之较高表面与第 二较 高表面间之前方表面,且以纵向延伸穿越大致上为 前方表 面之整个纵向范围,如此,使一气体可自该出口装 置向前 方流出以形成一薄片状之气流且往前延伸越过该 第二较高 表面。2.根据申请专利范围第1项之较低预热块总 成,其中延 伸块包括该块件之一整体组件。3.根据申请专利 范围第1项之较低预热块总成,其中延 伸块包括一分开之组件,其固定在该块件上。4.根 据申请专利范围第3项之块件总成,其中延伸块要 构造成及配置成以可脱离地固定在该块件上。5. 根据申请专利范围第3项之块件总成,其中该气体 流 出口装置包括一个以上构成在前方表面中之出口, 且其中 该延伸块部分地覆于该出口上。6.根据申请专利 范围第5项之较低预热块总成,其中该 气体流出口装置包括一单一纵向延伸沟槽。7.根 据申请专利范围第5项之较低预热块总成,其中该 气体流出口装置包括许多分开之出口。8.根据申 请专利范围第1项之较低预热块总成,其中该 延伸块包括一前缘部分,具有一纵向之延伸缺口, 其中其 与第二较高边缘相连。9.根据申请专利范围第1项 之较低预热块总成,其中该 预先决定之高度约为1/4英寸高且第二表面自前方 表面向 前延伸约5/8英寸及1 1/4英寸间之距离。10.一种热 化学修整装置包括: 一较高块件,具有一较低表面, 一较低块件具有相对立之较高及较低之表面,相对 立之尾端表面,及相对立之前端及后端表面延伸在 该尾端 表面之间以界定延伸在其中之纵向方向,该较低块 件放置 在较高块件之下方,如此,使该较高块件之较低表 面与较 低块件之较高表面界定一延伸之槽,通过该槽后一 第一气 体以呈薄片状气流之形状流出,其向前朝一待修整 之金属 工件方向移动, 一延伸块其自该块件前端表面朝前面方向延伸且 包 括一第二较高表面,其平行该块件之较高表面,该 第二较 高表面间隔在该较低块件之较高表面之下方,及 气体流出装置到连接该较低块之前方表面,及在该 较低块之较高表面及该延伸块之第二较高表面,而 该出口 装置以纵向延伸越过前方表面之大致上全部之纵 向范围, 如此,使一第二种气体从该出口装置向前流出以构 成一第 二薄片状之气流且往前移动横越该第二较高表面, 如此, 使第一气体沟槽界定在该第一薄片状气流与该延 伸块之第 二较高表面之间,其用来压缩第二薄片状之气流使 其往前 横越延伸块之第二较高表面移动。11.一种遮蔽一 热化学修整程序之一氧化气流之方法包 括之步骤有: 使一薄片状氧化气流横越一块件总成之一第一较 高 表面, 从一放置在邻近块件总成较高表面之一前方表面, 而中之燃料气出口排放燃料气,如此,以形成一第 二薄片 状之燃料气流,其覆在该氧化气流下面,而, 压缩第二薄片状燃料气流,其在一第二较高表面, 其自该前方表面表面往前延伸,与薄片状氧化气流 之间, 因此大致上均匀地分配第二薄片状燃料气流于薄 片状氧化 气流之下方。12.根据申请专利范围第11项之方法, 尚包括在薄片状 氧化气流与第二较高表面间形成一气体槽之步骤, 该沟槽 以纵向延伸横越该第二较高表面之大致上整个纵 向之范 围,压缩燃料气使其在通过该沟槽时去形成第二薄 片状之 燃料气流。13.根据申请专利范围第11项之方法,尚 包括放置该延 伸件以部分覆于其上之关系在该燃料气出口上之 步骤。14.根据申请专利范围第11项之方法,其中压 缩步骤包 含使薄片状氧化气流膨胀在其横越第二较高表面 移动之 时,而去与第二较高表面形成一气体槽使第二薄片 状燃料 气流通过。15.根据申请专利范围第14项之方法,其 中薄片状氧化 气流膨胀在一预先决定之角度,且其中块件总成前 方表面 高度对第二较高表面长度之比大致上等于该预先 决定角度 之正切。
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