| 主权项 |
1.一种以氧或氮之离子植入隔离元件之方法,其包 括: 形成一罩幕层于一矽基板之上; 以光学微影及蚀刻技术选择性地除去部份隔离区 上方之罩幕层; 植入该氧或氮离子至该隔离区之矽基板内; 对该矽基板实施高温回火,俾该离子与矽基板之矽 反应,而于该隔离区形成一绝缘物,俾可隔离矽基 板上元件。2.如申请专利范围第1项所述之以离子 植入隔离元件之方法,该罩幕层系氮化矽(Si3N4)或 氧化矽(SiO2)。3.如申请专利范围第1项所述之以离 子植入隔离元件之方法,所植入之该离子的能量约 为80-300KeV,且植入时之剂量约为5E18-5E17离子/cm2,以 及植入时之入射角度约为0-7。4.如申请专利范围 第1项所述之以离子植入隔离元件之方法,该高温 回火之步骤系以快速热退火(R.T.A)为之,其温度约 为900℃-1100℃,时间约30-60秒,或以高温炉管为之,其 温度为900-1100℃,时间约20-40分钟。图式简单说明: 第一图:系区域性矽氧化法隔离元件之步骤示意图 。 第二图:系本案以离子植入隔离元件之步骤示意图 。 |
