| 摘要 |
<p>Die integrierte Schaltungsanordnung umfaßt einen planaren ersten Transistor und eine darüber angeordnete Diode. Die Diode ist so zwischen ein erstes Source/Drain-Gebiet (SD) des ersten Transistors und eine Gateelektrode (G1) des ersten Transistors geschaltet, daß ein Abfließen von Ladung von der Gateelektrode (G1) zum ersten Source/Drain-Gebiet (SD) erschwert wird. Eine Diodenschicht (S), die Teil der Diode ist, ist auf einem Teil des ersten Source/Drain-Gebiets (SD) angeordnet. Eine leitende Struktur (L), die ein weiterer Teil der Diode ist, ist über einem Teil der Gateelektrode (G1) und auf der Diodenschicht (S) angeordnet. Die Diode kann als Tunneldiode ausgestaltet sein. Die Diodenschicht (S) kann durch thermische Oxidation erzeugt werden. Zur Erzeugung der Diode ist lediglich eine Maske erforderlich. Über der Diode kann ein Kodensator angeordnet sein, dessen erste Kondensatorelektrode (P1) mit der leitenden Struktur (L) verbunden ist. Die integrierte Schaltungsanordnung kann eine DRAM-Zellenanordnung umfassen, bei dem eine Speicherzelle den ersten Transistor, die Diode und einen zweiten Transistor umfaßt. Die integrierte Schaltungsanordnung kann zusätzlich eine Logikschaltung umfassen.</p> |
