METHOD AND SYSTEM FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR CRYSTALS USING TEMPERATURE MANAGEMENT

摘要

Beschrieben wird ein Verfahren und ein Temperaturverwaltungs- und Reaktionskammersystem zur Herstellung von Stickstoff enthaltenden Halbleiterkristallmaterialien der Form AXBYCZ, NV, MW, wobei A, B, C Gruppe-II- oder III-Elemente, N Stickstoff, M ein Gruppe-V- oder VI-Element und X, Y, Z, V, W der Molenbruch jedes Elements in dieser Verbindung darstellen, unter Verwendung von Gasphasenzusammensetzungen und Gasphasenfolgen. Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass zur Herstellung der Halbleiterkristallmaterialien der Herstellungsprozess durch genaue Temperaturregelung bestimmter Stellen in dem Reaktionskammersystem unter vorgegebenen Bedingungen gesteuert wird.