Halbleitervorrichtung mit geringer Störkapazität

摘要

Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit aktiven, auf einem Substrat gezüchteten Komponenten, das ein Halbleitersubstrat vorsieht, auf dem die aktiven Komponenten gezüchtet werden, und das Dotieren des Halbleitersubstrats, um es nicht-leitend zu machen und dadurch Störkapazität zwischen den aktiven Komponenten darauf zu reduzieren. Die Komponenten weisen typischerweise einen VCSEL und eine Überwachungsvorrichtung auf. Das dotierte Substrat reduziert Störkapazität.