Verfahren zum Ausbilden einer Siliziumdioxidschicht und Verfahren zum Herstellen eines Dünnfilmtransistors dadurch

摘要

Das erfindungsgemäße Verfahren zum Ausbilden einer Siliziumdioxidschicht weist auf: Bereitstellen einer Zweifrequenz-Anregungs-Plasma-CVD-Vorrichtung, die eine Hochfrequenzelektrode, eine Suszeptorelektrode und zwei Anpassungseinrichtungen zur Impedanzanpassung zwischen den Elektroden und einem Netzteil aufweist, wobei die Elektrode auf einer Seite eines Abstimmkondensators der Anpassungseinrichtung zur Anpassung an die Hochfrequenzelektrode die Hochfrequenzelektrode ist; Anordnen eines Substrats auf der Suszeptorelektrode; Anlegen einer elektrischen Hochfrequenzleistung an die Hochfrequenzelektrode bzw. an die Suszeptorelektrode; und Ausbilden einer Siliziumdioxidschicht auf dem Substrat durch Erzeugen eines Plasmas unter Verwendung eines Reaktionsgases, dessen Hauptreaktionsgas eine Mischung aus Monosilan und Lachgas ist.