| 摘要 |
<p>L'invention porte sur une cellule (10) de mémoire rémanente extrêmement modulable, cette mémoire comprenant une cellule formée dans un triple puits. Un transistor (14) de sélection peut avoir une source (13) qui fonctionne comme l'émetteur d'un transistor (62) bipolaire latéral. Ce transistor (62) fonctionne comme un injecteur de charge. L'injecteur de charge génère des électrons pour l'injection d'électrons chauds sur la grille flottante (22) de programmation. La région (25) de déplétion/inversion cellulaire peut être étendue par la formation d'un condensateur et se présente sous forme d'une extension de la grille (50) de commande sur le substrat (15a) entre la source (15) et un canal (25a) du transistor (12) de détection.</p> |
