发明名称 |
METHOD FOR DOPING EXTERNAL BASE CONNECTION AREAS OF Si-BASED SINGLE POLYSILICON NPN BI-POLAR TRANSISTORS |
摘要 |
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Dotierung der externen Basisanschlussgebiete von Si-basierten Einfach-Polysilizium-npn-Bipolartransistoren. Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zur Dotierung der externen Basisanschlussgebiete von Si-basierten Einfach-Polysilizium-npn-Bipolartransistoren vorzuschlagen, das über die Anforderungen hinaus, die auch mittels Ionenimplantation erfüllt werden können, nämlich hohe Oberflächenkonzentration der Dotieratome mit geringem thermischem Budget, geringe Eindringtiefen und Defektfreiheit, eine weitestgehende Vermeidung der TED im inneren Transistorgebiet gewährleistet. Erfindungsgemäss wird diese Aufgabe gelöst, indem als Eindiffusionsprozess ein BBr3-Vorbelegungsprozess Anwendung findet. Die Dotierung der Basisanschlussgebiete von npn-Bipolartransistoren in Einfach-Polysilizium-Technologie wird somit nicht mehr durch Ionenimplantation, sondern mittels eines Diffusionsschrittes durchgeführt.
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申请公布号 |
WO0013206(A3) |
申请公布日期 |
2000.06.02 |
申请号 |
WO1999DE02789 |
申请日期 |
1999.08.30 |
申请人 |
INSTITUT FUER HALBLEITERPHYSIK FRANKFURT (ODER) GMBH;SCHMUNDT, HOLGER;KNOLL, DIETER;HEINEMANN, BERND |
发明人 |
SCHMUNDT, HOLGER;KNOLL, DIETER;HEINEMANN, BERND |
分类号 |
H01L21/225;H01L21/3215;H01L21/331;(IPC1-7):H01L21/331;H01L21/321;H01L29/737 |
主分类号 |
H01L21/225 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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