| 发明名称 |
A self-aligned buried channel/junction stacked gate flash memory cell |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
EP0700097(B1) |
申请公布日期 |
2000.05.31 |
| 申请号 |
EP19950110236 |
申请日期 |
1995.06.30 |
| 申请人 |
ADVANCED MICRO DEVICES INC. |
发明人 |
HSU, JAMES |
| 分类号 |
H01L29/788;H01L21/8247;H01L29/792;(IPC1-7):H01L29/788;H01L21/336 |
主分类号 |
H01L29/788 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
