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<p>In einem magnetoresistiven Element, das ein erstes ferromagnetisches Schichtelement (1), ein nichtmagnetisches Schichtelement (2) und ein zweites ferromagnetisches Schichtelement (3) aufweist und das zwischen einen ersten Anschluß (5) und einen zweiten Anschluß (7) geschaltet ist, ist zwischen dem ersten ferromagnetischen Schichtelement (1) und dem ersten Anschluß (5) sowie zwischen dem zweiten ferromagnetischen Schichtelement (3) und dem zweiten Anschluß (7) jeweils eine Barriereschicht (4, 6) vorgesehen, die eine Diffusion zwischen den Anschlüssen und den ferromagnetischen Schichtelementen (1, 3) unterdrückt. Das magnetoresistive Element ist sowohl als Speicherelement als auch als Sensorelement geeignet.</p> |
