发明名称 REACTOR AND METHOD FOR CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION
摘要 <p>L'invention concerne un procédé de dépôt en phase vapeur, de couches d'un matériau sur un substrat (10) s'étendant globalement dans un plan, comprenant: une étape consistant à disposer le substrat (10) dans un conduit (6) constitué d'un matériau réfractaire et balayé par les composés gazeux nécessaires au dépôt, ce conduit (6) étant interposé entre le substrat (10) et des premiers (8) et deuxièmes (9) moyens de chauffage, situés de part et d'autre du plan du substrat (10), caractérisé par le fait qu'il comprend en outre, une étape consistant à chauffer le substrat (10) grâce au rayonnement de la chaleur du conduit (6), lui-même chauffé par les premiers (8) et deuxièmes (9) moyens de chauffage.</p>
申请公布号 WO2000031317(A1) 申请公布日期 2000.06.02
申请号 FR1999002909 申请日期 1999.11.25
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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