集成电路的制造方法

摘要

一种集成电路的制造方法，其是在硅半导体基板上制造集成电路元件的光刻技术对准标记的制造方法。主要是在覆盖双阱区域的氮化硅层完成之前，利用硅基板左右两侧各设置一个对准标记区域的方式，以进行对准，在氮化硅以后的层次，则恢复正常的十个对准标记区域的对准方式，以节省时间及维持制造加工的精确度。

主权项

1、一种集成电路的制造方法，该集成电路的半导体基板内的双阱区包括N型阱区和P型阱区，包括以下步骤：(a)沉积一氧化层于半导体基板上；(b)在第零层上，利用N型阱掩模，仅曝光并蚀刻所述氧化层在所述半导体基板左右两侧各形成对准标记；(c)将N型阱区域用所述对准标记对准；(d)覆盖一层光致抗蚀剂遮蔽所述N型阱以外的区域；(e)在所述硅基板内，注入N型杂质于所述的N型阱区域；(f)去除步骤(d)的光致抗蚀剂；(g)将P型阱区域用所述对准标记对准；(h)覆盖另一层光致抗蚀剂遮蔽所述P型阱以外的区域；(i)在所述硅基板内，注入P型杂质于所述的P型阱区域；(j)去除步骤(h)的光致抗蚀剂；(k)高温热处理，将P型阱及N型阱内的杂质注入；(l)在所述氧化层上沉积一氮化硅层；(m)覆盖一光致抗蚀剂，并将氮化硅层用所述对准标记对准。