| 发明名称 | 电子束曝光系统 | ||
| 摘要 | 一种电子束曝光设备由在电子源和基片之间直线对齐的电磁透镜(13,14,16,18)、光圈(12等)和曝光掩膜(15)所构成。在从电子源辐射并照射到基片上的电子束通道中,电子束的电子形成交叉平面(A,B,C)。曝光掩膜置于一个交叉平面上,而光圈置于另一个交叉平面上。电子源被设计为产生特殊的电子束强度分布,使得电子束外围的强度比部分的强度高。该设备可以减小库仑作用,并提高分辨率和集成电路的产量。 | ||
| 申请公布号 | CN1254943A | 申请公布日期 | 2000.05.31 |
| 申请号 | CN99123871.0 | 申请日期 | 1999.11.15 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 山下浩 |
| 分类号 | H01L21/027;H01L21/30;G03F7/20 | 主分类号 | H01L21/027 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 卢纪 |
| 主权项 | 1.一种电子束曝光设备，包括：用于以电子束形式辐射电子的电子源(11；21)；以及用于有选择地透射电子束的电子的曝光掩膜(15)，该电子束照射到基片(W)上并且在该基片上曝光该曝光掩膜的图案，其特征在于，该电子源被设计为具有特定的电子束强度分布，使得该电子束的外围部分具有比该电子束的中央部分更高的强度。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||