晶体生长过程实时显示诊断装置

摘要

本实用新型涉及一种晶体生长过程实时显示诊断装置。该装置由测试晶体生长速率的显微迈克尔逊干涉仪和流场显示测量固液界面浓度边界层的定量干涉计量部分组成,使用长工作距物镜和He－Ne激光器作光源,包括空间滤波器、分束镜、PZT全反镜、显微物镜、过渡透镜、电荷耦合器件显微物镜成象在CCD上,载物台由PC计算机控制的步进电机调节;参考光与物光在CCD的靶面上形成干涉图输送给图象处理系统进行分析处理、打印输出。

主权项

1.一种晶体生长过程中的实时诊断显示装置，由干涉计量诊断仪，其特征在于：干涉计量诊断仪为两套，第一套干涉计量诊断仪为测试晶体生长速率的显微迈克尔逊干涉仪，包括：激光光源1、由激光光源1发射端起与激光光源1同光轴依次放置的空间滤波器2、分束镜3、PZT全反镜4以及与激光光源1光轴垂直且与分束镜3同光轴依次放置的显微物镜6、过渡透镜7和电荷耦合器件CCD 8，该套干涉计量诊断仪的所有零、部件位于同一平面内；第二套干涉计量诊断仪为流场显示测量固液界面浓度界层的定量干涉计量装置，包括：激光光源10、由激光光源10发射端起与激光光源10同光轴依次放置的空间滤波器11、准直镜12、半反镜13、PZT全反镜14；PZT全反镜14和半反镜15同光轴且与激光光源10光轴垂直；与PZT全反镜14和半反镜15的光轴垂直并依次同光轴放置物镜16、半反镜18和电荷耦合器件CCD 19；与PZT全反镜14和半反镜15的光轴平行且同光轴放置全反镜18和半反镜20；与半反镜18、全反镜20光轴垂直且依次同光轴放置场镜21、显微物镜22、过渡透镜23和电荷耦合器件CCD 24；放置在四维调节机构26工作面上的晶体生长池5位于分束镜3的下方，全反镜17与半反镜15、CCD 19同光轴且位于晶体生长池5的另一侧，全反镜17与半反镜13同光轴；四维调节机构26由四维步进电机25驱动绕X、Y坐标轴轴向旋转、平移；第二套干涉计量诊断仪的所有零、部件位于和第一套干涉计量诊断仪所在平面不同的同一平面内；电荷耦合器件CCD 8、CCD 19和CCD 24分别与计算机主机电连接。