CIRCUIT FOR GENERATING A REFERENCE VOLTAGE FOR READING OUT FROM A FERROELECTRIC MEMORY

摘要

Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Generierung einer Referenzspannung für das Auslesen und Bewerten von aus Speicherzellen (C1, C2) eines ferroelektrischen Speichers mit konstanter Plattenspannung (VP) über Bitleitungen (B1, B2; BLt, bBLt) ausgelesenen Lesesignalen, bei der eine Referenzspannungseinrichtung aus zwei mit komplementären Signalen beaufschlagbaren Referenzzellen (DC1, DC0) besteht, die gleichzeitig zur Generierung der Referenzspannung in eine Auswahl- und Bewertungseinrichtung (10) auslesbar sind.