FIELD EFFECT-CONTROLLED TRANSISTOR AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

摘要

In einem Halbleitersubstrat (2) ist ein aktives Gebiet vorgesehen, das ein Sourcegebiet, ein Kanalgebiet und ein Draingebiet aufweist, die jeweils an einer Hauptfäche (1) des Halbleitersubstrats (2) angrenzen. In der Hauptfläche des Halbleitersubstrats (2) ist mindestens ein Graben vorgesehen, der an das Kanalgebiet angrenzt und in dem Teil der Gateelektrode (8) angeordnet ist. Vorzugsweise weist die Gateelektrode zwei einander gegenüberliegende Teile (8) auf, die jeweils an das Kanalgebiet angrenzen. Die Herstellung des Transistors erfolgt mit Hilfe von Standardprozessschritten.