| 摘要 |
Die Erfindung betrifft eine Speicheranordnung aus einer Anzahl von Speicherzellen, die jeweils wenigstens einen ferroelektrischen Speicherkondensator (Cferro) und einen Auswahltransistor (TG) aufweisen und über Wortleitungen (WL) und Bitleitungspaare (BL <0>, bBL <0>; BL <1>, bBL <1>) angesteuert sind, wobei in einem Leseverstärker (SA <01> ein über ein Bitleitungspaar aus einem Referenzzellenpaar (R) gewonnenes Referenzsignal mit einem Lesesignal aus einer Speicherzelle (L) vergleichbar ist. Dem Leseverstärker (SA <01>) sind dabei zwei Bitleitungspaare zugeordnet, die so geschaltet sind, daß über das erste Bitleitungspaar das Referenzsignal und gleichzeitig über das zweite Bitleitungspaar das Lesesignal an den Leseverstärker (SA <01>) angelegt ist. |
