| 摘要 |
Die Erfindung bezieht sich auf einen magnetischen Speicher vom wahlfreien Zugriffstyp (MRAM) mit einem Speicherzellenfeld (11), bestehend aus einer Vielzahl von Speicherzellen (1), die an Kreuzungspunkten von Wort- (3) und Senseleitungen (4) matrixförmig angeordnet sind, und deren logische Dateninhalte durch einen magnetischen Zustand definiert sind, mit einer den Wortleitungen (3) zugeordneten Adressierungsschaltung, vermittels welcher die Wortleitung (3) einer oder mehrerer ausgewählter Speicherzellen (1), deren Dateninhalt ausgelesen werden soll, mit einer Lesespannung (V) beaufschlagt wird, und mit einer den Senseleitungen (4) zugeordneten Auswerteschaltung, vermittels welcher ein dem Dateninhalt der ausgewählten Speicherzelle bzw. Speicherzellen entsprechendes Signal erfasst bzw. ausgewertet wird, wobei die Auswerteschaltung eine Vergleichsschaltung (16) besitzt, vermittels welcher ein von einem Referenzelement geliefertes Referenzsignal (Vr) mit dem Sensesignal (Vs) der auszulesenden Speicherzelle bzw. Speicherzellen verglichen wird.
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