| 发明名称 | 半导体陶瓷及用其制造的器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体陶瓷,它包含钛酸钡、钛酸铅、钛酸锶和钛酸钙作为主要组分,以氧化钐作为主要组分中的半导体形成剂,该陶瓷的晶粒平均直径为7—12μm。所述半导体陶瓷在室温下的电阻率不大于3.5Ω·cm,耐电压不低于50V/mm,电阻温度系数α<SUB>10-100</SUB>不小于9%/℃,而且电阻变动率较小。 | ||
| 申请公布号 | CN1253925A | 申请公布日期 | 2000.05.24 |
| 申请号 | CN99124802.3 | 申请日期 | 1999.11.10 |
| 申请人 | 株式会社村田制作所 | 发明人 | 並河康训;冈本哲和;広田俊春;山元敬之 |
| 分类号 | C04B35/462;H01C7/02 | 主分类号 | C04B35/462 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 林蕴和 |
| 主权项 | 1.一种半导体陶瓷，该陶瓷包含钛酸钡、钛酸铅、钛酸锶和钛酸钙作为主要组分，并以氧化钐作为半导体形成剂，且该半导体陶瓷的晶粒平均直径为7-12μm。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||