具有窄带隙－源区结构的绝缘栅器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件结构及制造方法，在改善ＭＯＳＦＥＴ、ＭＯＳＳＩＴ和ＭＩＳＦＥＴ等绝缘栅晶体管的漏击穿电压时降低漏电流，改善存储单元如用这些晶体管作开关晶体管的ＤＲＡＭ的保持特性，改善传输门中栅氧化膜的可靠性。具体地，在ＳＯＩ·ＩＧ－器件的源区或漏区内部形成窄带隙半导体如Si_xGe_1-x、Si_xSn_1-x、ＰｂS。选择窄带隙半导体区在ＳＯＩ膜中的位置和／或摩尔百分比，或选择杂质元素，补偿晶格失配，抑制缺陷的产生。

主权项

1.一种绝缘栅晶体管，至少有一第一导电类型的由形成于第一绝缘膜上的第一半导体形成的沟道区，一形成于沟道区上的第二绝缘膜以及一形成于第二绝缘膜上的栅电极，以控制流过所述的沟道区的电流，其特征在于进一步的改进包括：第二导电类型的，由其禁带宽度比所述第一半导体的禁带宽度窄的至少一个第二半导体形成的第一源区，第一源区中被掺杂了有第二导电类型的第一杂质元素，和第二杂质元素有和第一杂质元素不同的共价半径，以补偿所述第一和第二半导体之间形成的异质节结构的晶格失配。