薄膜半导体集成电路

摘要

在由薄膜晶体管（ＴＦＴＳ）构成的半导体集成电路中，通过在至少包括一个Ｐ－沟型ＴＦＴ的电路和至少包括一个Ｎ－沟型ＴＦＴ的电路之间设置传输门电路，Ｐ－沟道型ＴＦＴ或者Ｎ－沟道型ＴＦＴ构成非门，或与非门电路。Ｎ－沟道型ＴＦＴ接地。用设置的传输门电路，或Ｐ－沟道或Ｎ－沟道型ＴＦＴ产生电压降，因而，减少了接地的Ｎ－沟道型ＴＦＴ的漏电压，并使Ｎ－沟道型ＴＦＴ的漏区附近的电场减弱。

主权项

1.一种半导体集成电路，包括：一个第一晶体管电路，包含至少一个P-沟道型晶体管，并有第一信号输入端和第一信号输出端；一个第二晶体管电路，包含至少一个N-沟道型晶体管，并有与第一信号输入端连接的第二信号输入端和第二信号输出端；该半导体集成电路的特征在于：至少有一个传输门电路，设置在第一和第二信号输出端之间，并与该第一和第二信号输出端电连接，所述传输门电路有两个输入端，而加到所述第一和第二晶体管电路上的一个输入信号输入到该传输门电路的两个输入端上。