| 发明名称 | 单片半导体陶瓷电子元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种单片半导体陶瓷电子元件,它包含交替设置的钛酸钡基半导体陶瓷层和内部电极、电气连接到内部电极层的外部电极。半导体陶瓷层包含陶瓷微粒,其平均微粒尺寸大约1μm或更小,每一层陶瓷微粒沿垂直于半导体层方向上的平均数量为大约10或更大。内部电极层最好由镍基金属制成。 | ||
| 申请公布号 | CN1254170A | 申请公布日期 | 2000.05.24 |
| 申请号 | CN99124805.8 | 申请日期 | 1999.11.11 |
| 申请人 | 株式会社村田制作所 | 发明人 | 川本光俊 |
| 分类号 | H01C7/02;C04B35/468 | 主分类号 | H01C7/02 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 陈亮 |
| 主权项 | 1.一种单片半导体陶瓷电子元件，其特征在于包含：多层交替的钛酸钡半导体陶瓷层和内部电极层；及电气连接到内部电极层的外部电极；其中，半导体陶瓷层包含陶瓷微粒，其平均微粒尺寸为大约1μm或更小，并且每一层陶瓷微粒沿垂直于半导体层方向上的平均数量为大约10或更大。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||