发明名称 | 稳定性提高的磁阻传感器 | ||
摘要 | 磁性存储装置(10)中的换能器(56)包括具有有效区(65)的细长磁阻元件(64)。第一和第二电触点(66)在有效区(65)的两侧耦合到细长磁阻元件(64)。底部感应写磁极和共享屏蔽(72)靠近于细长磁阻元件(64)且包括主体区(122)和靠近有效区(65)的磁极尖端区(120)。共享屏蔽(72)包括在磁极尖端区(120)和主体区(122)之间限定的凹槽(124),从而提高磁极尖端区(120)中的磁稳定性。顶部感应写磁极(79)与底部感应写磁极和共享屏蔽(72)隔开以形成磁隙缝,磁极尖端区(120)由于感应地写信息。 | ||
申请公布号 | CN1254434A | 申请公布日期 | 2000.05.24 |
申请号 | CN97182159.3 | 申请日期 | 1997.09.04 |
申请人 | 西加特技术有限公司 | 发明人 | D·麦肯;A·B·约翰斯顿 |
分类号 | G11B5/29;G11B5/127;G11B5/147 | 主分类号 | G11B5/29 |
代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 张政权 |
主权项 | 1.一种磁性存储装置中的换能器,其特征在于包括:具有有效区的细长磁阻元件;在有效区的两侧上耦合到细长磁阻元件用以读取信息的第一和第二电触点;靠近于细长磁阻元件的底部感应写磁极和共享屏蔽,所述磁阻元件具有主体区和靠近有效区的磁极尖端区,所述主体区和磁极尖端区由共享屏蔽中细长的凹槽来限定;以及与底部感应写磁极和共享屏蔽隔开的顶部感应写头磁极,所述底部感应写磁极和共享屏蔽与磁极尖端区形成磁隙。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |