| 主权项 |
1.一种具有多重透光率之衰减式相位移光罩之制造方法,包括以下步骤:提供一光罩图案及一光罩底材,该光罩图案具有一致密图形及一疏离图形而该光罩底材具有一透光层、一相移层及一遮光层;在该光罩底材上形成该疏离图形之一第一衰减式相位移光罩;将该光罩底材浸泡于一第一溶液中,使该第一衰减式相位移光罩之相移层透光率增加;在该光罩底材上形成该致密图形之一第二衰减式相位移光罩。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该光罩图案系一用以制作接触窗之光罩图形。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该光罩底材之透光层、相移层及遮光层系分别由透光率100%之石英、透光率6%之MoSiON及透光率0%之Cr所构成。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中在该光罩底材上形成该疏离图形之该第一衰减式相位移光罩之方法包括以下步骤:定义该第一衰减式相位移光罩之一透光区及相移区图形;在该光罩底材上覆盖一第一光阻层,并对该透光区及相移区内之第一光阻层进行曝光,其中该相移区内第一光阻层之曝光深度较透光区内第一光阻层之曝光深度短,且未及该遮光层;进行显影而使该透光区内之遮光层露出;以该第一光阻层为遮罩对该遮光层、相移层进行蚀刻,露出相对之透光层;对该第一光阻层进行蚀刻,使该相移区内之遮光层露出;以该第一光阻层为遮罩对该遮光层进行蚀刻,露出相对之相移层;移除该第一光阻层。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该第一光阻层系压克力聚合物所构成。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一溶液为NH|^4OH:H|^2O|^2:H|^2O=1:1:5之SC1溶液。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一溶液亦使该第一衰减式相位移光罩之相位角减少。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中在该光罩底材浸泡于该第一溶液后,更将该光罩底材浸泡于一第二溶液中,增加该第一衰减式相位移光罩之相位角以补偿该第一溶液所造成之相位角减少;9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该第二溶液为浓度5.6mole/liter、温度70℃之NaOH溶液。10.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该第二溶液亦使该第一衰减式相位移光罩之相移层透光率增加。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中在该光罩底材上形成该致密图形之该第二衰减式相位移光罩之方法包括以下步骤:定义该第二衰减式相位移光罩之一透光区及相移区图形;在该光罩底材上覆盖一第二光阻层,并对该透光区及相移区内之第二光阻层进行曝光,其中该相移区内第二光阻层之曝光深度较透光区内第二光阻层之曝光深度短,且未及该遮光层;进行显影而使该透光区内之遮光层露出;以该第二光阻层为遮罩对该遮光层、相移层进行蚀刻,露出相对之透光层;对该第二光阻层进行蚀刻,使该相移区内之遮光层露出;以该第二光阻层为遮罩对该遮光层进行蚀刻,露出相对之相移层;移除该第二光阻层。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该第二光阻层系压克力聚合物所构成。13.一种具有多重透光率之衰减式相位移光罩,包括:一光罩底材,具有一透光层、一相移层及一遮光层;一第一衰减式相位移光罩,形成于该光罩底材上;一第二衰减式相位移光罩,形成于该光罩底材上,该第二衰减式相位移光罩之相移层透光率与该第一衰减式相位移光罩之相移层透光率不同。14.如申请专利范围第13项所述之光罩,其中该光罩底材之透光层、相移层及遮光层系分别由透光率100%之石英、透光率6%之MoSiON及透光率0%之Cr所构成。15.如申请专利范围第13项所述之光罩,其中该多重透光率之衰减式相位移光罩系依据一光罩图案在该光罩底材上形成该第一及第二衰减式相位移光罩,该光罩图案具有一致密图形及一疏离图形,该第一及第二衰减式相位移光罩系分别依据该致密及疏离图形而形成。 |
