| 主权项 |
1.一种浅沟渠隔离区的制造方法,包括下列步骤:提供一基底,该基底具有一沟渠,使该基底形成一突起区域与一凹陷区域,其中,该突起区域上已覆盖一罩幕层;进行湿式热氧化制程,以形成一衬氧化层,该衬氧化层覆盖于该沟渠之表面并延伸覆盖于该罩幕层之侧壁与表面上;在该基底上形成一填充物质,以填满该沟渠,并且覆盖该突起区域上方之该衬氧化层;进行平坦化制程,以去除该罩幕层表面以上之该衬氧化层与该填充物质;以及去除该罩幕层。2.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中,该湿式热氧化制程系在摄氏温度950度至1180度之间进行。3.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中,该湿式热氧化制程系在炉管中进行。4.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中,该湿式热氧化制程系以快速热氧化制程执行之。5.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中,该罩幕层之材质包括氮化矽。6.如申请专利范围第5项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中,该湿式热氧化制程系在摄氏温度1100度至1150度之间进行。7.如申请专利范围第5项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中,该罩幕层与该基底之间具有一垫氧化层,且去除该罩幕层之后更包括去除该垫氧化层。8.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中,该罩幕层之材质包括氮氧化矽。9.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中,该罩幕层之材质包括复晶矽。10.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中,该罩幕层之材质包括非晶矽。11.一种浅沟渠隔离区的制造方法,包括下列步骤:于一基底上形成一垫氧化层与一罩幕层;将该垫氧化层与该罩幕层图案化,并于该基底中形成一沟渠;进行湿式热氧化制程,以形成一衬氧化层,该衬氧化层覆盖于该沟渠之表面并延伸覆盖于该罩幕层之侧壁与表面上;在该基底上形成一填充物质,以填满该沟渠,并且覆盖该罩幕层上方之该衬氧化层;进行平坦化制程,以去除该罩幕层表面以上之该衬氧化层与该填充物质;以及去除该罩幕层与该垫氧化层。12.如申请专利范围第11项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中,该湿式热氧化制程系在摄氏温度950度至1180度之间进行。13.如申请专利范围第11项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中,该湿式热氧化制程系在炉管中进行。14.如申请专利范围第11项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中,该湿式热氧化制程系以快速热氧化制程执行之。15.如申请专利范围第11项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中,该罩幕层之材质包括氮化矽。16.如申请专利范围第15项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中,该湿式热氧化制程系在摄氏温度1100度至1150度之间进行。17.如申请专利范围第11项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中,该罩幕层之材质包括氮氧化矽。18.如申请专利范围第11项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中,该罩幕层之材质包括复晶矽。19.如申请专利范围第11项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中,该罩幕层之材质包括非晶矽。20.一种浅沟渠隔离区之衬氧化层的制造方法,适用于具有一沟渠之一基底,且该基底上已形成有一罩幕层,该方法包括下列步骤:进行湿式热氧化制程,以形成一衬氧化层,该衬氧化层覆盖于该沟渠之表面并延伸覆盖于该罩幕层之侧壁与表面上。图式简单说明:第一图A至第一图B是习知一种浅沟渠隔离区之制造流程的剖面示意图;以及第二图A至第二图F,其绘示依照本发明一较佳实施例,一种浅沟渠个隔离区之制造流程的剖面示意图。 |
