| 主权项 |
1.一种无电镀镍的溶液,其含有0.01至1莫耳/升之水溶性镍盐,0.01至2莫耳/升之还原剂,0.01至2莫耳/升之错合剂,与0.01至100毫克/升之选自连二硫酸盐、连多硫酸盐及连二亚硫酸盐的化合物。2.一种无电镀镍的方法,其包括下述步骤,将一工作件浸渍于含有0.01至1莫耳/升之水溶性镍盐,0.01至2莫耳/升之还原剂,0.01至2莫耳/升之错合剂,和0.01至100毫克/升之选自连二硫酸盐、连多硫酸盐及连二亚硫酸盐的化合物之无电镀镍槽中,藉此在该工作件上化学沈积一镍镀层。3.一种高组份无电镀金的方法,其包括下述诸步骤将一工作件浸于含有0.01至1莫耳/升之水溶性镍盐,0.01至2莫耳/升之还原剂,0.01至2莫耳/升之错合剂,和0.01至100毫克/升之选自连二硫酸盐、连多硫酸盐及连二亚硫酸盐的化合物之无电镀镍槽中,藉此在该工作件上化学沈积一镍镀层,及将该镀过镍的工作件浸渍于无电镀金槽内,藉此在该工作件上化学沈积一金镀层,其中该无电镀金槽包含选自氰化金、亚硫酸金及硫代硫酸金之金源(金浓度为0.5至10克/升)及5至300克/升之错合剂。4.如申请专利范围第3项之高组份无电镀金的方法,其进一步包括在将该工作件浸于含有选自连二硫酸盐、连多硫酸盐及连二亚酸盐的化合物之无电镀镍槽内的步骤之前,将该工作件先浸渍在不含选自连二硫酸盐、连多硫酸盐及连二亚硫酸盐的化合物之无电镀镍槽内,藉此在该工作件上化学浸渍一镍底镀层之步骤。5.如申请专利范围第3或4项之高组份无电镀金的方法,其中该无电镀金槽含有氰化金作为金源且其pH値为4至9。图式简单说明:第一图为显示出在经化学沈积镍镀层上化学沈积金镀层时所得金镀层厚度与镀金时间之间的关系之图形。第二图为含有镍镀层和金镀层的工作件上所具镀层构造之简略横断面图;显示出延伸经过镍镀层的针孔。第三图为含有镍底镀层,镍镀层和金镀层的工作件上所具镀层构造之简略横断面图,显示出延伸经过镍镀层的针孔。 |
