发明名称 具有冗余功能之遮罩式唯读记忆体(ROM)
摘要 一种根据本发明之具有冗余功能之遮罩式唯读记忆体(ROM),包括:复数之冗余记忆胞,利用一雷射修整器而接受资料写入处理;一位元线,连接于各该复数之冗余记忆胞;一感知放大器,连接于该冗余之位元线;一冗余位元设定部,用以保持一设定之结果;以及一开关装置,用以根据该设定之结果选择性地自该感知放大器输出其本身及其一反相输出之输出。
申请公布号 TW391006 申请公布日期 2000.05.21
申请号 TW086105420 申请日期 1997.04.25
申请人 电气股份有限公司 发明人 石黑充洋
分类号 G11C17/00;H01L27/00 主分类号 G11C17/00
代理机构 代理人 何金涂 台北巿大安区敦化南路二段七十七号八楼
主权项 1.一种具有冗余功能之遮罩式唯读记忆体(ROM),包 括: 复数之冗余记忆胞,利用一雷射修整器而接受资料 写入处理; 一位元线,连接于各该复数之冗余记忆胞; 一感知放大器,连接于该冗余之位元线; 冗余位元设定装置,用以保持一设定之结果;以及 开关装置,用以根据该设定之结果选择性地自该感 知放大器输出其本身及其一反相输出之输出。2. 如申请专利范围第1项之遮罩式唯读记忆体(ROM),其 中该冗余位元设定装置含有: 一电晶体与一电阻,串联配置于一输出端与一第一 电源端之间,该电晶体具有一闸极电极被供应以一 控制信号; 一金属配线层,配置于该输出端与一节点之间,该 金属配线层系具有由该雷射修整器处理之能力;以 及 连接装置,用以连接该节点与一第二电源端。3.如 申请专利范围第1项之遮罩式唯读记忆体(ROM),其中 该冗余位元设定装置含有: 一p通道电晶体与一电阻,串联配置于一电源端与 一输出端之间; 一铝配线层,配置于该输出端与一节点之间;以及 一n通道电晶体,配置于该节点与一接地端之间,其 中 该p通道电晶体之一闸极电极被供应以一控制信号 ,及 该n通道电晶体之一闸极电极被供应以一电源电压 。4.如申请专利范围第1项之遮罩式唯读记忆体(ROM ),其中由该雷射修整器所断接处理之诸冗余记忆 胞之数目系未大于该复数之冗余记忆胞之一半。5 .一种具有冗余功能之遮罩式唯读记忆体(ROM),包括 :复数之冗余记忆胞,由雷射修整器处理法设定于 一位元上状态与一位元外状态之一中; 一位元线,连接于各该复数之冗余记忆胞; 一感知放大器,连接于该冗余之位元线; 冗余位元设定装置,用以保持一设定之结果以相对 应于该雷射修整器处理之一结果,以及 开关装置,用以根据该设定之结果选择性地自该感 知放大器输出其本身及其一反相输出之输出。6. 如申请专利范围第4项之遮罩式唯读记忆体(ROM),其 中该冗余位元设定装置含有: 一电晶体与一电阻,串联配置于一输出端与一第一 电源端之间,该电晶体具有一闸极电极被供应以一 控制信号; 一金属配线层,配置于该输出端与一节点之间,该 金属配线层系具有由该雷射修整器处理之能力;以 及 连接装置,用以连接该节点与一第二电源端。7.如 申请专利范围第5项之遮罩式唯读记忆体(ROM),其中 由该雷射修整器所断接处理之诸冗余记忆胞之数 目系未大于该复数之冗余记忆胞之一半。图式简 单说明: 第一图系一流程图,显示根据习用技术测试一遮罩 式ROM之方法; 第二图系一方块图,显示根据本发明之一实施例; 第三图系一电路图,较详细地显示第二图之部分方 块图; 第四图显示第三图中所示之输出变化电路之平面 图式;以及 第五图系一流程图,显示根据本发明之测试一遮罩 式ROM之方法。
地址 日本