| 主权项 |
1.一种硷性蓄电池用之经烧结镍多孔瓷花金属板 基质,其中该经烧结镍之整体表面覆有氢氧化镍涂 层,另外在该氢氧化镍涂层上形成一羟基氢氧化钴 层。2.一种硷性蓄电池用之镍正电极,其系将一经 烧结镍多孔金属瓷花板基质进行连串活性材料装 填操作制得,该基质中构成基质之经烧结镍整体表 面覆盖有氢氧化镍涂层,另外在该涂层外侧形成一 羟基氢氧化钴层,此等装填操作包括将该基质浸在 一种酸性含水镍盐溶液中,随后乾燥之,然后将该 基质浸于一种含水硷性溶液中,将该镍盐转换成氢 氧化镍。3.一种包括镍正电极、一负电极、一隔 板与一种硷性电解质之硷性蓄电池,其中该正电极 包括经烧结镍多孔金属瓷在板基质,其中装填一种 活性材料,该经烧结镍之整体表面覆有氢氧化镍涂 层,另外在该氢氧化镍涂层外侧形成一羟基氢氧化 钴层。4.如申请专利范围第3项之硷性蓄电池,其中 该经烧结镍之整体表面覆有氢氧化镍涂层,另外在 该氢氧化镍涂层整体外侧形成一羟基氢氧化钴层 。5.如申请专利范围第3项之硷性蓄电池,其中该氢 氧化镍涂层之厚度小于该羟基氢氧化钴之厚度。6 .如申请专利范围第5项之硷性蓄电池,其中该氢氧 化镍涂层之厚度在10-100埃范围内,该羟基氢氧化钴 层之厚度在0.05-0.2m范围内。7.一种包括镍正电 极、一负电极、一隔板与一种硷性电解质之硷性 蓄电池,其中该正电极包括经烧结镍多孔金属瓷花 板基质,其中装填一种活性材料,构成该基质之该 经烧结镍的表面覆有氢氧化镍涂层,其外侧具有一 羟基氢氧化钴层,该氢氧化镍涂层系由该经烧结镍 表面在含水硷溶液中阳极氧化作用制得之羟基氢 氧化镍涂层形成,并对于附在该羟基氢氧化镍涂层 表面之钴盐进行一种硷转换处理,经由羟基氢氧化 镍涂层与氢氧化钴间之氧化-还原反应还原成一种 氢氧化镍涂层,而且藉由该氢氧化钴之氧化反应在 该氢氧化镍涂层外侧形成该羟基氢氧化钴层。8. 如申请专利范围第7项之硷性蓄电池,其中该经烧 结镍之整体表面覆有氢氧化镍涂层,另外在该氢氧 化镍涂层整体外侧形成一羟基氢氧化钴层。9.如 申请专利范围第7项之硷性蓄电池,其中该氢氧化 镍涂层之厚度小于该羟基氢氧化钴之厚度。10.如 申请专利范围第1项之硷性蓄电池,其中该氢氧化 镍涂层之厚度在10-100埃范围内,该羟基氢氧化钴层 之厚度在0.05-0.2m范围内。11.一种包括镍正电极 、一负电极、一隔板与一种硷性电解质之硷性蓄 电池,其中该正电极包括经烧结镍多孔金属瓷花板 基质,其中装填一种活性材料,构成该基质之该经 烧结镍的表面覆有氢氧化镍涂层,该氢氧化镍涂层 外侧另外形成一羟基氢氧化钴层,该氢氧化镍涂层 藉由电池之充电与放电作用循环转换成氢氧化镍 与羟基氢氧化镍。12.如申请专利范围第11项之硷 性蓄电池,其中该经烧结镍之整体表面覆有氢氧化 镍涂层,另外在该氢氧化镍涂层整体外侧形成一羟 基氢氧化钴层。13.如申请专利范围第11项之硷性 蓄电池,其中该氢氧化镍涂层之厚度小于该羟基氢 氧化钴之厚度。14.如申请专利范围第13项之硷性 蓄电池,其中该氢氧化镍涂层之厚度在10-100埃范围 内,该羟基氢氧化钴层之厚度在0.05-0.2m范围内。 15.一种制备硷性蓄电池用之经烧结镍基质的方法, 其包括在一种含水硷性溶液中对经烧结镍多孔金 属瓷花板基质进行阳极氧化作用,在构成该基质之 经烧结镍表面形成一羟基氢氧化镍涂层,然后将一 种钴盐粘附在该羟基氢氧化镍表面,同时对该钴盐 进行硷转换处理,经由羟基氢氧化镍与氢氧化钴间 之氧化一还原反应将该羟基氢氧化镍涂层转换成 氢氧化镍涂层,并在该氢氧化镍涂层外侧形成一羟 基氢氧化钴涂层。16.如申请专利范围第15项之制 备硷性蓄电池用之经烧结镍基质的方法,其中该阳 极氧化作用系于液体温度在70-90℃范围内之含水 硷溶液中进行。17.如申请专利范围第15项之备硷 性蓄电池用之经烧结镍基质的方法,其中该阳极氧 化作用系使用该经烧结基质作为阳极,以一种镍板 作为阴极,于0.1-0.5V电解电位(Ag/AgCl)下电解5-30分钟 进行。图式简单说明: 第一图系本发明实施例中经烧结镍基质之剖面示 意图。 第二图系显示本发明实施例中构成经烧结镍基质 之经烧结镍粉末表面放大图。 第三图系本发明实施例中镍镉蓄电池之部分剖面 图。 第四图系对照实例中构成经烧结镍基质之经烧结 镍粉末表面放大图。 第五图系显示介于浸渍时间与浸于含水硝酸镍溶 液内基质之基质电位关系图。 第六图系显示个别电池放电电容与充电-放电循环 次数之关系图。 |
