发明名称 拉晶法
摘要 一种拉晶方法,其中一生长中的单晶一开始是被晶种夹头拉引,接下来在拉引操作的中期,是被一提举夹所拉引,当拉引构件由晶种夹头切换至提举夹的一个第一点开始,晶种夹头相对于提举夹的速度Va减小而提举夹的上升速度Vb增加。总速度Vt=Vb+Va是一直维持等于所需求的拉引速度V直到到达第三点为止,此第三点是负荷从晶种夹头移转至提举夹的开始。接下来,从第三点开始,即当负荷开始从晶种夹头移转至提举夹时,总速度 Vt是被设定成小于所需求的拉引速度V,依此方式可以使晶体准确的生长。
申请公布号 TW390918 申请公布日期 2000.05.21
申请号 TW086114690 申请日期 1997.10.07
申请人 信越半导体股份有限公司 发明人 饭野荣一;饭田诚;浦野雅彦;木村雅规;村冈正三
分类号 C30B15/24;C30B15/32 主分类号 C30B15/24
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种拉晶法,其包含下列步骤: 将一被一晶种夹头固持之晶种与一坩埚内之熔融 材料接触; 将该晶种夹头向上提举以便在该晶种下方生长出 一单晶; 当该单晶达到一预定的位置时,将一提举夹关闭, 使该提举夹以留有一小间隙的方式面对着该单晶 的一个预定的部位,及 将拉引构件由该晶种夹头切换至该提举夹,同时导 致该单晶与该提举夹之间一相对之垂直移动,以使 该单晶的负荷从该晶种夹头移转至该提举夹,其中 该晶种夹头相对于该提举来之速度Va以及该提举 夹的上升速度Vb所组成之总速度Vt是维持在一所需 求的拉引速度V,直到负荷开始从晶种夹头移转至 提举夹为止,当该负荷开始转移时,该总速度被设 定成小于该所需求的拉引速度V,且当一预定之一 部份的负荷已经被转移时,速度Vb被设定成等于该 所需求的拉引速度V。2.如申请专利范围第1项之拉 晶法,其中当该提举夹的变形小时,在该负荷开始 移转时,该提举夹的上升速度Vb是被设定成等于所 需求的拉引速度V,以使该总速度Vt小于所需求的拉 引速度V。图式简单说明: 第一图是一拉晶设备之结构的主要部分的概略图 。 第二图是晶种夹头与提举夹之速度变化图,其中Va 表示晶种夹头相对于提举夹之相对提举/下降的速 度,而Vb是表示提举夹之提举速度。 第三图是实施中一特定拉引速度的例子的图。 第四图A-第四图E是习知之拉晶法的图。 第五图是习知拉晶法中,晶种夹头与提举夹之速度 变化图。
地址 日本