| 摘要 |
<p>L'invention porte sur un appareil (65) de pulvérisation cathodique et le procédé associé de dépôt à vitesse élevée de couches isolantes ou semi-conductrices de stoechiométrie sensiblement uniforme. Deux magnétrons (66) cylindriques rotatifs verticaux associés à des pompes (62) à vide constituent des modules semi-isolés de pulvérisation cathodique commandables séparément et permettant des dépôts successifs de matériaux identiques ou différents. Un courant c.a. à tension constante et une boucle facultative de gaz réactif à rétroaction assurent la régularité de la stoechiométrie des couches malgré les petites variations de la vitesse de pompage dues au mouvement du substrat. Ledit procédé est extrêmement stable sur de longues périodes (jours) de fonctionnement, et la stoechiométrie se sélectionne en faisant varier le point de réglage de la tension. L'appareil (65) peut se présenter sous la forme d'un ensemble circulaire de modules permettant le traitement par lots de substrats du type tranche, ou sous la forme d'un ensemble linéaire de modules pour le traitement de grands substrats planes.</p> |
