| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种多室系统，在半导体器件如半导体集成电路的制造中，提供一种高清洁度的处理。该系统包括多个真空设备（如膜形成设备、腐蚀设备、热处理设备和预备室），用于制造半导体器件。这些真空设备中至少一个是采用激光的。 | ||
| 申请公布号 | CN1052566C | 申请公布日期 | 2000.05.17 |
| 申请号 | CN94115974.4 | 申请日期 | 1994.07.02 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;武内晃;竹村保彦;岛田浩行 |
| 分类号 | H01L21/00;H01L21/70 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 马铁良;萧掬昌 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：在基片上形成半导体膜；用光照射半导体膜以便使半导体膜晶体化；在光照射后，在半导体膜上形成由氧化硅和氮化硅中选出的一种材料构成的绝缘膜；其特征在于：所述半导体膜在氧化气氛中用光照射，从而半导体膜的表面通过照射而氧化。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||