半导体制造工艺和半导体器件制造工艺

摘要

一种以较低结晶温度和较短时间周期制造半导体的工艺，其工序是：在衬底上形成绝缘物涂层；将所述绝缘物涂层暴露到等离子体中；在上述暴露工序之后，在所述绝缘物涂层上形成非晶硅膜；并且在４００到６５０℃或更高温度中，但不得高于衬底玻璃转换温度，热处理所述硅膜。成晶核部位是这样被控制的，选择性地将非晶硅膜暴露到等离子体中或选择性地施加一种物质，该物质含有起催化作用的元素。也披露了用同样方法制造薄膜晶体管的工艺。

主权项

1.一种制造半导体的工艺，其工序如下：在衬底上形成绝缘物涂层；将所述绝缘物涂层暴露在等离子体中；在所述暴露工序之后，在所述绝缘物涂层上形成含非晶硅的半导体膜；和通过热处理使所述半导体膜晶体化；其中所述等离子体是利用一个电极产生的，该电极是由含Ni、Fe、Co和Pt一类元素中选取的至少一种元素的材料制成。